今天早些時候，三星半導體在 KAIST（韓國科學技術院）舉辦了一場講座，三星設備解決方案部門總裁 Kye Hyun Kyung 提出了三星半導體將趕上其領先技術的未來願景台灣競爭對手台積電。
社長承認三星代工技術“落後於台積電”。他解釋說，三星的 4nm 技術比台積電落後大約兩年，而其 3nm 工藝則比競爭對手落後大約一年。
不過，總裁也解釋說，三星現在有優勢，公司可以超越台積電。 “我們可以在五年內超越台積電。” （通過 韓京）
三星早期推進 GAA 可能會縮小差距
三星可能在未來五年內超越台積電的想法來自於三星打算從其 3nm 代工工藝開始使用 Gate All Around (GAA) 技術。相比之下，台積電在達到 2 納米生產之前不會使用 GAA，三星相信這將使其趕上其台灣競爭對手。
GAA 是一種工藝，可以使三星生產的芯片比基於台積電目前使用的工藝的芯片更小 (45%) 且能耗更低 (%50)。據總裁稱，“客戶對三星電子的 3nm GAA 工藝反應良好。”
有趣的是，Kye Hyun Kyung 還表示，三星預計內存半導體在開發 AI 服務器方面變得更加重要，並超過 NVIDIA GPU。據首席執行官稱，三星將“確保以內存半導體為中心的超級計算機能夠在 2028 年問世。”
最近的其他報導稱，三星也將其 4nm 良率提高到了它獲勝的地步超過兩個主要客戶:AMD 和谷歌。據報導，這家韓國科技巨頭將在其第三代 4nm 工藝節點上製造谷歌的 Tensor 3 芯片。傳聞中的 Exynos 2400 SoC 也可能採用先進的 4nm 工藝製造。
