Samsung Semiconductor realizó una conferencia en el KAIST (Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnología de Corea) hoy, donde el presidente de la División de Soluciones de Dispositivos de Samsung, Kye Hyun Kyung, presentó una visión de un futuro en el que Samsung Semiconductor se pondrá al día con sus Rival taiwanés TSMC.
El presidente admitió que la tecnología de fundición de Samsung”está por detrás de TSMC”. Explicó que la tecnología de 4 nm de Samsung está aproximadamente dos años por detrás de TSMC, y su proceso de 3 nm está aproximadamente un año por detrás de su rival.
Sin embargo, el presidente también explicó que Samsung ahora tiene una ventaja, y la compañía podría superar a TSMC. “Podemos superar a TSMC en cinco años”. (a través de Hankyung)
El impulso inicial de Samsung en GAA puede cerrar la brecha
La idea de que Samsung podría superar a TSMC en los próximos cinco años proviene del hecho de que Samsung tiene la intención de utilizar la tecnología Gate All Around (GAA) a partir de su proceso de fundición de 3 nm. Por el contrario, TSMC no usará GAA antes de alcanzar la producción de 2nm, y Samsung cree que esto le permitirá alcanzar a su rival taiwanés.
GAA es un proceso que podría permitir a Samsung producir chips que son más pequeños (45 %) y consumen menos energía (50 %) que los chips basados en los procesos utilizados actualmente por TSMC. Y según el presidente,”la respuesta de los clientes al proceso GAA de 3nm de Samsung Electronics es buena”.
Curiosamente, Kye Hyun Kyung también dijo que Samsung espera que los semiconductores de memoria sean más importantes en el desarrollo de servidores de IA y superen a las GPU de NVIDIA. Según el CEO, Samsung”se asegurará de que las supercomputadoras centradas en semiconductores de memoria puedan salir al mercado para 2028″.
Otros informes recientes dicen que Samsung también mejoró su rendimiento de 4 nm hasta el punto en que ganó sobre dos grandes clientes: AMD y Google. Según se informa, el gigante tecnológico coreano fabricará el chip Tensor 3 de Google en su nodo de proceso de 4nm de tercera generación. El rumoreado SoC Exynos 2400 también se puede construir en un proceso avanzado de 4nm.