Vaikka yritys ei ole vielä ottanut käyttöön TSMC:n 3nm:n arkkitehtuuria sirujen valmistusprosessissaan, Samsung ilmoitti juuri, että se on jo aloittanut piirisarjojen tuotannon. sen 3nm prosessitekniikka GAA-arkkitehtuurilla. Valmistuksen alkaessa Samsung on voittanut taiwanilaisen siruvalmistajan onnistuneesti tullessaan ensimmäiseksi puolijohdeyritykseksi, joka on ottanut käyttöön 3nm:n solmun. Tässä on yksityiskohdat!

Samsung alkaa valmistaa 3nm piirisarjoja

Samsung jakoi äskettäin virallinen Newsroom-postitus, jossa kerrotaan Gate-All-Around (GAA)-arkkitehtuurilla varustetun 3nm:n prosessisolmun ensimmäisen tuotannon. Yhtiö sanoo, että 3nm solmu yhdessä Multi-Bridge Channel FET (MBCFET) GAA-arkkitehtuurin kanssa”urastaa FinFETin suorituskyvyn rajoituksia ja parantaa tehokkuutta alentamalla syöttöjännitetasoa ja parantaa samalla suorituskykyä lisäämällä taajuusmuuttajan virran kapasiteettia.”

Samsung korostaa myös, että uusi valmistusprosessi tarjoaa 45 % paremman tehon tehokkuudessa, 23 % paremman suorituskyvyn ja 16 % pienemmän pinta-alan piirisarjoihin verrattuna. edellinen 5nm prosessi. Jatkossa yrityksen tavoitteena on lisätä suorituskykyä 30 prosenttiin ja vähentää virrankulutusta 50 % ja kokoa 35 %.

Kuva: Samsung

“Samsung on kasvanut nopeasti, kun jatkamme johtajuuden osoittamista seuraavan sukupolven teknologioiden soveltamisessa valmistukseen, kuten valimoteollisuuden ensimmäinen High-K Metal Gate, FinFET ja EUV. Pyrimme jatkamaan tätä johtajuutta maailman ensimmäisellä 3nm MBCFET-prosessilla. Jatkamme aktiivista innovaatiota kilpailukykyisen teknologian kehittämisessä ja rakennamme prosesseja, jotka auttavat nopeuttamaan teknologian kypsyyttä”, sanoi tri. Siyoung Choi, Samsungin valimoliiketoiminnan johtaja ja johtaja.

Samsung mainitsi, että uusimman 3 nm:n prosessiteknologian ensimmäinen käyttö rajoittuu tehokkaiden ja vähän tehoa kuluttavien tietokonejärjestelmien piirisarjoihin. Vaikka yritys pyrkii ottamaan saman käyttöön myös mobiilisirujen valmistuksessa tulevaisuudessa.

Nyt ensimmäisenä yrityksenä, joka ottaa käyttöön edistyneen 3 nm:n prosessin sirujen valmistukseen, antaa Samsungille ylittää kilpailijansa TSMC:n. Kuitenkin Bloombergin mukaan tämä ei vaikuta viimeksi mainitun markkinaosuuteen tai myynnin kasvuun seuraavien 12 kuukauden aikana, ellei Samsung todista, että sen 3nm:n prosessi voi olla yhtä kustannustehokas kuin TSMC:n edistyksellinen N3 prosessi. Jos korealainen jättiläinen onnistuu siinä, se voi saada sopimustilauksia Applelta, Qualcommilta ja muilta alan jättiläisiltä.

Lisäksi Bloomberg raportoi, että Samsung valmistaa aluksi 3nm:n piirisarjat Hwaseongin tehtaissaan Koreassa ennen laajentamista Pyeongtaekiin. Lisäksi yritys on ilmoitetun massiivisen sirutehtaan rakentaminen Texasiin, joka pystyy tulevaisuudessa valmistamaan 3nm:n piirisarjoja. Mainitun tuotantolaitoksen on määrä aloittaa massavalmistus kuitenkin vasta vuonna 2024.

1 Kommentti

Categories: IT Info