Samsung voittaa virallisesti TSMC:n tuomalla 3nm GAA-siruteknologiansa markkinoille, ja ensimmäisen erän odotetaan toimitettavan 25. heinäkuuta. Valitettavasti yksikään älypuhelinpiirisarjan myyjä ei hyödynnä seuraavan sukupolven valmistusprosessia ainakaan toistaiseksi.
Samsungin kerrotaan toimittavan ensimmäisen 3 nm:n GAA-siruerän kryptovaluutan louhintatarkoituksiin
Tiistaina teollisuus-ja hallituslähteet ilmoittivat, että Samsung aikoo järjestää ensimmäisen 3nm GAA-sirujen toimitusseremonian Hwaseongissa, Gyeonggin maakunnassa sijaitsevassa tuotantokeskuksessaan 25. heinäkuuta. Lee Chang-yang, joka on kauppaministeri, teollisuus ja energia, ja Kyung Kye-hyun, Samsungin Device Solution Divisionin toimitusjohtaja, osallistuu seremoniaan. Mitä tulee siitä, kuka saa ensimmäisen erän, Business Korea antaa seuraavat tiedot.
“Ensimmäisen erän ostaja on kiinalainen kryptovaluutan louhinta, ja se on asiakas, johon ei voi luottaa pitkällä aikavälillä nykyiset kryptovaluuttamarkkinaolosuhteet huomioon ottaen. Lisäksi 3 nm:n siruja ei valmisteta Pyeongtaekissa vaan Hwaseongissa, mikä tarkoittaa suhteellisen pientä tuotantoa, sillä Samsung Electronicsin hienoimmat laitteet ovat Pyeongtaekissa ja Hwaseongissa se kehittää valmistusteknologioita.”
Samsung voi käyttää 3nm GAA-tekniikkaansa tulevan Exynos 2300:n massatuotantoon. SoC:tä voidaan käyttää tulevassa Galaxy S23-sarjassa, ja Google voisi mahdollisesti käyttää muunnelmaa siitä. kolmannen sukupolven Tensor-siru Pixel 8-perheelle. Tämän lisäksi Qualcomm voisi mahdollisesti hypätä kyytiin, mutta vain, jos TSMC:llä on tuottoongelmia oman 3 nm:n tekniikan kanssa.
Qualcommin kerrotaan voivan pyytää Samsungia toimittamaan 3 nm:n GAA-sirunäytteitä korealaisen jättiläisen kehityksen perusteella. koskien tuottoa, tehokkuutta ja muita mittareita, tilaukset annetaan. Valitettavasti huhujen mukaan tuleva Snapdragon 8 Gen 2, jonka sanotaan julkistettavan 15. marraskuuta, tullaan massatuotantoon yksinomaan TSMC:n 4 nm:n prosessilla, ellei ihmettä tapahdu.
Kierrätys: Samsungin 3 nm:n GAA-prosessin sanotaan vähentävän virrankulutusta jopa 45 prosenttia, parantavan suorituskykyä 23 prosenttia ja pienentävän pinta-alaa 16 prosenttia verrattuna 5 nm:n tekniikkaan. Valmistaja esittelee myös toisen sukupolven muunnelman, joka vähentää virrankulutusta jopa 50 prosenttia, lisää suorituskykyä 30 prosenttia ja pienentää pinta-alaa 35 prosenttia.
Uutislähde: Business Korea
