SK hynix a une mémoire HBM3 encore plus rapide en développement
La société sud-coréenne a mis à jour son HBM3 en cours de développement spécifications pour la troisième fois.
En octobre dernier, SK Hynix a révélé qu’il disposera d’une mémoire DRAM HBM3 12-Hi (couche) avec une vitesse de 820 Go/s, pour préparer une mémoire encore plus rapide avec 896 Go/s bande passante pour une”révélation”à l’ISSCC 2022 (IEEE International Solid-State Circuits Conference).
Les détails ne sont pas encore connus, mais le titre de la session confirme déjà la vitesse et la configuration de la mémoire. Il s’agira également d’une mémoire DRAM HBM3 à 12 couches d’une capacité de 196 Go (24 Go). Ceci serait réalisé grâce à l’auto-étalonnage TSV (via le silicium via) et aux optimisations d’apprentissage automatique. Ce qui n’est pas clair non plus, c’est si ce type de mémoire est littéralement un prototype sur papier ou plutôt quelque chose que SK hynix a l’intention de pousser dans la production de masse.
Mémoire SK hynix HBM3, Source : ISSCC
Les premières spécifications HBM3 de SK Hynix comportaient des données à 5,2 Gbit/s débit par broche (665 Go/s) pour être mis à jour de 23% à 6,4 Gbit/s (819 Go/s) quelques mois plus tard. La dernière mémoire de 7 Gbit/s fournirait une mise à niveau supplémentaire de 10 % par rapport aux spécifications d’octobre 21.
En outre, la société prévoit également de discuter de la GDDR6 à 27 Gbit/s basée sur T-coil mémoire avec Merged-MUX TX, fonctionnement WCK optimisé et bus de données alternatif. Une telle mémoire serait encore plus rapide que la mémoire 24 Gbps de Samsung qui échantillonne actuellement. La mémoire d’Hynix aurait une capacité de 16 Go, donc la même capacité que la GDDR6 de Samsung et la GDDR6X de Micron.
Source : Programme avancé ISSCC (PDF)
