SK hynix memiliki memori HBM3 yang lebih cepat dalam pengembangan
Perusahaan Korea Selatan telah memperbarui HBM3 yang sedang dikembangkan spesifikasi untuk ketiga kalinya.
Oktober lalu SK Hynix mengungkapkan akan memiliki DRAM HBM3 12-Hi (lapisan) dengan kecepatan 820 GB/s, hanya untuk mempersiapkan memori yang lebih cepat dengan 896 GB/s bandwidth untuk’ungkapan’di ISSCC 2022 (Konferensi Sirkuit Solid-State Internasional IEEE).
Detailnya belum diketahui, tapi judulnya sesi sudah mengkonfirmasi kecepatan dan konfigurasi memori. Hal ini juga menjadi 12 layer HBM3 DRAM dengan kapasitas 196 Gb (24GB). Ini akan dicapai melalui TSV (melalui silikon melalui) kalibrasi otomatis dan pengoptimalan pembelajaran mesin. Yang juga tidak jelas adalah apakah jenis memori ini secara harfiah merupakan prototipe di atas kertas atau lebih tepatnya sesuatu yang ingin didorong oleh SK hynix ke dalam produksi massal.
Memori SK hynix HBM3, Sumber: ISSCC
Spesifikasi HBM3 pertama SK Hynix menampilkan data 5,2 Gbit/s rate per pin (665 GB/s) hanya untuk diperbarui sebesar 23% menjadi 6,4 Gbit/s (819 GB/s) beberapa bulan kemudian. Memori 7 Gbit/s terbaru akan memberikan peningkatan 10% tambahan dari spesifikasi 21 Oktober.
Selanjutnya, perusahaan juga berencana untuk membahas 27 Gbps GDDR6 berbasis T-coil memori yang menampilkan Penggabungan-MUX TX, Pengoperasian WCK yang Dioptimalkan, dan Bus Data Alternatif. Memori seperti itu bahkan akan lebih cepat daripada memori 24Gbps Samsung yang sekarang diambil sampelnya. Memori Hynix akan berkapasitas 16 Gb, jadi kapasitasnya sama dengan GDDR6 Samsung dan GDDR6X Micron.
Sumber: Program Lanjutan ISSCC (PDF)
