« siaran pers »
SK hynix Mengembangkan Flash NAND 4D 238-Layer Tertinggi di Dunia
Sorotan Berita
TLC 4D NAND 238-layer 512Gb pertama di dunia dikembangkan pada bulan Juli; diharapkan untuk memulai produksi massal pada paruh pertama tahun 2023 Menyediakan produk NAND tertinggi dan terkecil sekaligus meningkatkan produktivitas, kecepatan transfer data, dan efisiensi daya yang luar biasa “Akan melanjutkan inovasi untuk menemukan terobosan dalam tantangan teknologi”
SK hynix Inc. (atau “perusahaan”, www.skhynix.com) hari ini mengumumkan bahwa mereka telah mengembangkan produk NAND Flash 238-lapisan tertinggi di industri.
Perusahaan baru-baru ini mengirimkan sampel 238-lapisan 512Gb triple level cell (TLC)1 produk NAND 4D kepada pelanggan dengan rencana untuk memulai produksi massal pada paruh pertama tahun 2023. “Pencapaian terbaru mengikuti pengembangan produk NAND 176-layer pada Desember 2020,” kata perusahaan. “Perlu diperhatikan bahwa produk 238-lapisan terbaru adalah yang paling berlapis dan terkecil di area pada saat yang sama.”
Perusahaan ini meluncurkan pengembangan produk terbaru di Flash Memory Summit 20222 di Santa Clara.
“SK hynix mengamankan daya saing tingkat atas global dalam perspektif biaya, kinerja, dan kualitas dengan memperkenalkan produk 238 lapis berdasarkan teknologi 4D NAND. Kami akan terus berinovasi untuk menemukan terobosan dalam tantangan teknologi.”
— kata Jungdal Choi, Kepala Pengembangan NAND di SK hynix dalam pidato utamanya selama acara tersebut.
Sejak pengembangan produk NAND 96 lapis pada tahun 2018, SK hynix telah memperkenalkan serangkaian produk 4D yang mengungguli produk 3D yang sudah ada. Perusahaan telah menerapkan teknologi charge trap flash3 dan peri under cell4 untuk membuat chip dengan struktur 4D. Produk 4D memiliki area sel per unit yang lebih kecil dibandingkan dengan 3D, sehingga menghasilkan efisiensi produksi yang lebih tinggi.
Produk tersebut, meskipun mencapai lapisan tertinggi 238, adalah ukuran NAND terkecil, yang berarti produktivitas keseluruhannya telah meningkat sebesar 34% dibandingkan dengan NAND 176-lapisan, karena lebih banyak chip dengan kepadatan lebih tinggi per satuan luas dapat dihasilkan dari setiap wafer.
Kecepatan transfer data dari produk 238-lapisan adalah 2,4 Gb per detik, peningkatan 50% dari generasi sebelumnya. Volume energi yang dikonsumsi untuk membaca data telah menurun sebesar 21%, pencapaian yang juga memenuhi komitmen ESG perusahaan.
Produk 238-lapisan akan pertama kali diadopsi untuk SSD klien yang digunakan sebagai penyimpanan PC perangkat, sebelum disediakan untuk ponsel cerdas dan SSD berkapasitas tinggi untuk server nanti. Perusahaan juga akan memperkenalkan produk 238 lapis dalam 1 Terabit (Tb) tahun depan, dengan kepadatan dua kali lipat dibandingkan dengan produk 512Gb saat ini.
1 Triple Level Cell (TLC): Produk NAND Flash dikategorikan ke dalam Single Level Cell, Multi Level Cell, Triple Level Cell, Quadruple Level Cell dan Penta Level Cell tergantung pada jumlah informasi (unit: bit) yang terdapat dalam satu sel. Bahwa sel berisi lebih banyak informasi berarti lebih banyak data dapat disimpan dalam luas area yang sama.
2 Flash Memory Summit (FMS): Konferensi terbesar dunia untuk industri Flash NAND yang berlangsung di Santa Clara setiap tahun. Saat menjadi keynote speech di acara tersebut, SK hynix membuat pengumuman bersama dengan Solidigm.
3 Charge Trap Flash (CTF): Tidak seperti floating gate, yang menyimpan muatan listrik dalam konduktor, CTF menyimpan muatan listrik di dalam isolator, yang menghilangkan interferensi antar sel, meningkatkan kinerja baca dan tulis sekaligus mengurangi area sel per unit dibandingkan dengan teknologi gerbang mengambang.
4 Peri. Under Cell (PUC): Teknologi yang memaksimalkan efisiensi produksi dengan menempatkan sirkuit periferal di bawah susunan sel.
« akhir siaran pers »
