La produzione di memorie DDR5 sta finalmente aumentando di velocità poiché diversi produttori hanno finalizzato i loro progetti tradizionali per lo standard di prossima generazione. Lo standard di memoria DDR5 verrà utilizzato dalle prossime piattaforme Intel (Alder Lake) e AMD (Raphael) che dovrebbero essere lanciate entro la fine dell’anno.

I moduli di memoria DDR5 mainstream, illustrati e destinati alla produzione di massa, saranno disponibili per le piattaforme AMD e Intel di nuova generazione entro la fine dell’anno

Jiahe Jinwei ha annunciato di aver ricevuto il primo lotto di moduli di memoria DDR5 dalla sua linea di assemblaggio con sede nello stabilimento di Shenzhen Pingshan. I moduli di memoria vengono ora prodotti in serie e dovrebbero essere lanciati entro la fine dell’anno con le piattaforme di nuova generazione Intel e AMD. Si dice che Intel prenda un comando nell’offrire il supporto della memoria di nuova generazione prima sulla sua piattaforma Alder Lake di nuova generazione che comprende Schede madri basate su chipset Z690 come riportato qui .

Presunte schede grafiche RDNA 2 AMD Radeon Pro serie W6000 per workstation Apple Mac Pro raffigurate e benchmarking

<” Jiahe Jinwei ha annunciato che i suoi principali moduli di memoria DDR5 sono ora in produzione di massa. ( Crediti immagine: ITHome )

Guardando i moduli di memoria DDR5, sono attualmente design tradizionali. Sono stati raffigurati due distinti moduli di memoria DDR5, uno con un PCB di colore verde proveniente direttamente dal produttore cinese, mentre gli altri sono stati raffigurati dall’hardware di Uniko e presentano un PCB di colore nero. La caratteristica più importante di entrambi i moduli a parte la DRAM, i moduli (U-DIMM) sono dotati di un PMIC (Power Management IC) integrato. Questo IC preleverà l’alimentazione CC (5 V) direttamente dalla scheda madre e la consegnerà alla DRAM stessa in modo più efficiente rispetto ai moduli DDR4.

I componenti necessari per la conversione della tensione vengono ora spostati nella memoria DIMM stessa, riducendo l’usura della tensione e la generazione di rumore e offrendo contemporaneamente maggiore spazio per l’overclock.

Questo lotto specifico di moduli di memoria DDR5 presenta frequenze di 4800 MHz con una tensione di 1,1 V. I tempi sono impostati su CL40-40-40 e ogni DIMM ha una capacità di 16 GB sebbene siano in lavorazione anche moduli dual-sided da 32 GB. La memoria DDR5 dispone anche di ECC integrato, minore consumo energetico e maggiore stabilità rispetto ai moduli di memoria DDR4. In futuro ci saranno anche moduli di memoria più veloci con altri produttori riportando velocità superiori a 10.000 MHz nella fase di ricerca.

Si prevede che la memoria DDR5 porti oltre il doppio dell’aumento delle prestazioni rispetto a DDR4 come si vede nella benchmark trapelati in precedenza . Abbiamo già visto DDR4 raggiungere velocità di oltre 7 GHz con OC, quindi 10 GHz non sembra un grosso problema per la memoria di nuova generazione poiché SK Hynix e Micron forniscono chip DRAM più veloci ai fornitori.

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