8 Gb/sn’ye kadar SK hynix HBM3E bellek
SK hynix, 1 milyar nm’nin artık ilk veri merkezi ürünleri için doğrulandığını duyurdu. Bu düğüm, DDR5 ve HBM3E belleğin üretimi için kullanılacaktır; ikincisi, Yüksek Bant Genişliği Belleğinin daha da hızlı bir sürümüdür.
Şirket bunu doğruladı Xeon Ölçeklendirilebilir platform, 5. nesil 10nm işlem düğümüne dayalı DDR5 ürünlerini desteklemek için Intel tarafından nasıl onaylandı? 1bnm DDR5 belleğin başarılı değerlendirmesi, 1anm’nin (4. Duyuruya göre, ilk DDR5 bellek 6,4 Gb/sn aktarım hızı sunuyor ve DDR5 geliştirmenin”ilk günlerindeki”ürünlere göre %33 daha iyi.
Daha da önemlisi 1 milyar DDR5 bellek, 1anm düğümden %20 daha az güç tüketecektir. Şirket bunun nedeninin, HKMB üretim sürecinin kaçak akımı önleyen ve kapasitansı iyileştiren yüksek dielektrik sabit bir malzeme getirmesi olduğunu belirtiyor.
Ayrıca önemli olan, 1 milyar nm modüllerin HBM3E (HBM3 Extended) tarafından da kullanılacağının doğrulanmasıdır. ). SK hynix, yalnızca bu tür yüksek bant genişliğine sahip belleklerin 8 Gb/sn veri işleme hızına izin verdiğini ve bunların 2024’te seri üretime girmesi gerektiğini onaylıyor. Bu, HBM3’e göre %25 ve birinci nesil HBM belleğinden 8 kat daha fazla.
“Bellek pazarının ikinci yarıdan itibaren toparlanmaya başlayacağına dair artan beklentiler arasında, bu kez 1 milyar nm prosesin seri üretimiyle bir kez daha kanıtlanmış olan sektör lideri DRAM teknolojimizin, bellekten elde ettiğimiz kazançları artırmamıza yardımcı olacağına inanıyoruz. SK hynix DRAM Geliştirme Başkanı Jonghwan Kim, 2024’ün ilk yarısında LPDDR5T ve HBM3E gibi daha geniş bir ürün yelpazesi için 1 milyar m’lik sürecin benimseneceğini sözlerine ekledi.
— SK hynix
Kaynak: SK hynix
