Samsung mengatakan minggu ini bahawa ia sedang berkembang Peranti memori 24Gb DDR5 atas permintaan pelanggannya yang mengendalikan pusat data awan. IC sedemikian akan membolehkan syarikat membina modul memori sehingga 768GB untuk pelayan dan juga penyelesaian memori berkapasiti tinggi untuk komputer pelanggan. Sebagai tambahan, Samsung mendedahkan beberapa keunikan mengenai teknologi DRAMnya yang menggunakan litografi ultraviolet ekstrem (EUV).
24Gb DDR5 Chips dalam Pembangunan
“Untuk memenuhi permintaan dan permintaan oleh perusahaan cloud, kami juga mengembangkan produk 24Gb DDR5 maksimum,”kata seorang eksekutif Samsung di sebuah persidangan pendapatan minggu ini, menurut transkrip oleh MencariAlpha .
Samsung telah menunjukkan DIMM berdaftar 512GB (RDIMM) modul memori yang menggunakan 32 timbunan 16GB berdasarkan lapan peranti DRAM 16Gb. Tumpukan 8-Hi digunakan melalui silikon melalui interkoneksi untuk memastikan kuasa rendah dan isyarat berkualiti.
Dengan menggunakan IC memori 24Gb dalam tumpukan 8-Hi, Samsung dapat meningkatkan kapasiti satu tumpukan menjadi 24GB dan kapasitas modul 32-cip menjadi 768GB. Menggunakan RDIMM seperti itu, CPU pelayan yang menampilkan lapan saluran memori dan menyokong dua modul per saluran dapat dilengkapi dengan lebih dari 12 TB memori DDR5. Untuk meletakkan nombor tersebut dalam konteks, CPU Intel Xeon Scalable’Ice Lake-SP’hari ini yang direka untuk beban kerja yang lapar memori dapat menyokong DRAM hingga 6 TB.
Selain itu, Samsung dapat membangun modul 96GB, 192GB atau 384GB untuk pelayan arus perdana dan ultra padat yang tidak menggunakan lebih dari satu RDIMM setiap saluran, tetapi tentunya dapat memanfaatkan kapasitas DRAM tambahan.
Untuk aplikasi klien, penggunaan cip memori 24Gb dan bukannya 16Gb IC dapat meningkatkan kapasiti modul memori sebanyak 50%, jadi harapkan modul DDR5 24 GB dan 48 GB pada suatu ketika. Sementara itu, Samsung menyatakan bahawa buat masa ini peranti DDR5 16Gb akan menjadi arus perdana, jadi walaupun peranti 24Gb akan digunakan untuk aplikasi pelanggan, jangan terlalu cepat mengharapkannya.
Pengecutan DRAM Semakin Keras
Salah satu kemampuan utama yang dimiliki memori DDR5 selain peningkatan kadar pemindahan data dan fitur yang meningkatkan prestasi adalah kemampuan untuk meningkatkan kapasiti per-perangkat sepanjang masa. hingga 64Gb (naik dari 16Gb dalam kasus DDR4) serta tumpukan hingga 8-16 DRAM (bergantung pada kapasiti) dalam satu cip (naik dari empat untuk DDR4).
Meningkatkan kapasiti peranti IC memori dua kali dari 16Gb menjadi 32Gb adalah sesuatu yang mencabar kerana semakin sukar untuk mengecilkan struktur transistor dan kapasitor DRAM kerana teknologi proses yang lebih baru tidak lagi memberikan peningkatan kepadatan simpul-ke-simpul yang nyata. Sebagai contoh, Samsung merujuk kepada proses fabrikasi DUV yang paling maju sehingga node 15nm, sedangkan teknologi D1a terbarunya yang bergantung pada EUV di lima lapisan disebut 14nm.
“DRAM 14 nm kami adalah peraturan reka bentuk terkecil di kelas 14 nm industri,”kata seorang eksekutif Samsung.”Kami akan menghasilkan produk ini secara besar-besaran pada babak kedua dengan menerapkan EUV pada lima lapisan.”
Langkah kecil seperti itu-dari 15 nm hingga 14 nm-dikondisikan oleh pendekatan konservatif Samsung dan keengganan untuk meningkatkan risiko yang berkaitan dengan penggunaan peralatan baru dan peningkatan kepadatan yang agresif. Namun ia masih menekankan bahawa peningkatan kepadatan per-perangkat tidak akan semudah itu walaupun dengan DDR5 dan peningkatan hasilnya serta litografi EUV. Untuk itu, pengembangan peranti DDR5 24Gb oleh Samsung dibenarkan sepenuhnya.
Sebelumnya syarikat itu tidak mengungkapkan jumlah lapisan EUV yang D1a gunakan. Dengan menggunakan EUV dan bukannya berbilang corak dengan DUV Samsung mengecilkan jumlah langkah proses dan kos DRAM. Samsung kini mengambil sampel DRAM 16Gb berdasarkan 14 nm D1a dengan pelanggan dan merancang untuk memulakan pengeluaran besar-besaran mereka pada separuh kedua tahun 2021.
Kapan?
Samsung adalah pengeluar memori pertama untuk pra-mengumumkan IC DDR5 24Gb dan akan menjadi antara yang pertama memanfaatkan peranti DRAM berkapasiti tinggi tersebut. Satu-satunya persoalan ialah bila.
Mungkin kerana alasan persaingan, Samsung tidak mengungkapkan kapan ia berhasrat untuk memulakan pengeluaran DRAM 24Gb DDR5 dan modul memori berkapasiti tinggi. Untuk mengatasi keperluan segera untuk modul memori DDR5 berkapasiti tinggi apabila pemproses Xeon Scalable Intel’Sapphire Rapids’melanda pasaran pada pertengahan 2022, Samsung mempunyai RDIMM 512GB berasaskan 16Gb yang menjadi sampel kepada pelbagai pelanggan pelayan sekarang.
Oleh itu, modul berkapasiti tinggi berasaskan 24Gb kemungkinan akan tersedia kadang-kadang kemudian melainkan ada pelanggan yang bersedia menggunakannya secepat mungkin tanpa proses pengesahan yang lama.
