Salah satu perkara baik yang muncul daripada pentadbiran Trump ialah tumpuan pada pengeluaran semikonduktor A.S. Ini menyebabkan faundri terulung dunia, TSMC, membuka kemudahan fabrikasi pembuatan cip di Phoenix, Arizona yang dijadual muncul dalam talian pada tahun 2024 dengan cip dikeluarkan dari talian yang dihasilkan menggunakan nod proses 5nm faundri.
Apple dan TSMC membincangkan memindahkan pengeluaran cip 3nm ke A.S.
Ringkasnya, semakin rendah nod proses, semakin kecil transistor yang digunakan dalam komponen yang membolehkan lebih banyak daripadanya dimuatkan ke dalam cip. Ini penting kerana lazimnya semakin tinggi bilangan transistor yang ditanduk kasut di dalam cip, semakin berkuasa dan cekap tenaganya. Tahun ini, Samsung Foundry akan menghantar cip 3nm dan tahun depan TSMC akan menyampaikan Bionic A17 3nm kepada Apple untuk iPhone 15 Pro dan iPhone 15 Ultra.
Transistor Gate All Around akan digunakan pada pengeluaran 3nm Samsung dan pengeluaran 2nm TSMC. Kredit Imej CopperPod
Sebagai contoh, A13 Bionic yang ditemui dalam siri iPhone 11 dari 2019 telah dibuat oleh TSMC menggunakan nod proses 7nm dan membawa 8.5 bilion transistor. A16 Bionic yang digunakan untuk menggerakkan model iPhone 14 Pro dibuat oleh TSMC menggunakan proses 5nm yang dipertingkatkan (yang dipanggil 4nm) dan setiap cip dilengkapi dengan hampir 16 bilion transistor. Kembali pada Mei 2021, IBM mengumumkan bahawa ia telah membangunkan cip 2nm yang boleh”memasukkan 50 bilion transistor dalam ruang kira-kira sebesar kuku jari.”Apple, yang menyumbang 25% pendapatan tahunan TSMC, akan suka memindahkan pengeluaran cip ke kawasan dunia yang tidak berpotensi menjadi tumpuan perhatian China seperti Taiwan. Dengan China ingin menjadi berdikari dalam pengeluaran cip, sentiasa ada kebimbangan bahawa negara itu menjurus kepada Taiwan. Apple ingin memindahkan pengeluaran canggih TSMC keluar dari Taiwan dan ke negeri-negeri. Seperti yang kami katakan, kemudahan AS TSMC dijangka akan mengeluarkan cip 5nm. Tetapi menurut TechSpot, kedua-dua Apple dan TSMC sedang membincangkan memindahkan pengeluaran 3nm TSMC ke negeri-negeri. Ini mungkin memerlukan TSMC untuk membawa masuk beberapa lagi bakat terbaik ke A.S. Apple akan dapat mengakses cipnya dengan lebih cepat jika TSMC boleh mengeluarkannya di Arizona dan mungkin ini dapat melegakan Apple daripada kebimbangan yang mungkin ada pada situasi geopolitik.
Jelas sekali ini tidak boleh berlaku serta-merta, dan dengan kilang di Arizona tidak dijangka akan dibuka untuk perniagaan sehingga 2025, pada masa nod proses 3nm tersedia untuk dibuat di negeri-negeri, Apple boleh melihat menggunakan 2nm cip dalam siri iPhone 17 Pro. Tetapi jika syarikat itu terus membezakan cip yang digunakan dalam model bukan Pro dan Pro, menjelang 2025 iPhone 17 dan iPhone 17 Plus boleh menggunakan cip yang dibuat di AS.
Selain itu, salah satu daripada TSMC kilang kini sedang mengusahakan cara untuk menurunkan nod proses kepada 1nm. Bulan lepas, Samsung Foundry mengumumkan peta jalan untuk pengeluaran cipnya yang akan beralih daripada nod proses 3nm tahun ini kepada 2nm pada 2025. Pada tahun 2027, Samsung Foundry mengatakan bahawa ia akan mengeluarkan cip menggunakan nod proses 1.4nm. Intel mengumumkan tahun lepas bahawa teknologi baharu akan membolehkannya bersaing untuk kepimpinan proses menjelang 2025 dengan TSMC dan Samsung.
TSMC tidak akan bertukar kepada transistor Gate All Around sehingga ia mula menghantar cip 2nm
Masalah yang dihadapi oleh syarikat seperti TSMC, Samsung Foundry dan Intel ialah cara menjadikan transistor lebih kecil. Seluruh proses adalah sangat kompleks. Sejak beberapa tahun kebelakangan ini, TSMC dan Samsung Foundry telah menggunakan apa yang dikenali sebagai transistor FinFET (Kesan Medan berbentuk sirip). Samsung tahun ini mula menggunakan transistor Gate-All-Around (GAA).
Transistor GAA boleh membuat get bersentuhan dengan keempat-empat sisi saluran transistor untuk memberikannya lebih kawalan ke atas aliran arus (transistor FinFET hanya meliputi tiga sisi saluran) dengan menggantikan menegak sirip dengan susunan mendatar yang dipanggil helaian nano. Transistor GAA, yang direka dahulu oleh Samsung, boleh membantu mengurangkan saiz transistor (faedah yang telah kami nyatakan sebelum ini) dan meningkatkan ketumpatan transistor yang membolehkan lebih banyak transistor di dalam cip.
Cip GAA juga membenarkan saluran diluaskan di dalam komponen yang akan membolehkan cip menjadi lebih pantas. Ia juga akan membantu memacu cip yang lebih cekap kuasa. Perlu diingat bahawa TSMC berpegang kepada FinFET untuk pengeluaran 3nmnya dan akan menggunakan GAA apabila cip 2nm mula keluar dari talian. Samsung sudah pun menggunakan GAA pada komponen 3nmnya.
