Samsung, peneraju dunia dalam cip memori semikonduktor DRAM, mempunyai mengumumkan bahawa ia telah memulakan pengeluaran besar-besaran cip DRAM DDR5 16Gb menggunakan teknologi 12nm. Berbanding cip generasi sebelumnya, cip DRAM 12nm baharu adalah lebih cekap kuasa.
Cip DRAM DDR5 12nm baharu firma Korea Selatan itu adalah 23% lebih cekap kuasa dan meningkatkan produktiviti wafer sebanyak 20%. Pelanggan yang menggunakan cip ini untuk pelayan awan dan pengkomputeran berprestasi tinggi mereka dapat melihat penjimatan kuasa yang lebih tinggi dan pengurangan jejak karbon, terutamanya untuk pusat data. Samsung mengatakan bahawa pengeluaran DRAM DDR5 kelas 12nm baharunya dimungkinkan oleh bahan High-κ syarikat yang meningkatkan kapasiti sel, yang menghasilkan perbezaan potensi elektrik yang ketara dalam isyarat data. Ini menjadikannya lebih mudah untuk membezakannya dengan tepat.
Cip DRAM 12nm DDR5 Samsung baharu menawarkan kelajuan pemindahan data sebanyak 7.2Gbps, yang bersamaan dengan pemprosesan dua 30GB 4K filem dalam satu saat. Cip baharu ini telah pun dinilai untuk CPU AMD pada Disember 2022. Syarikat itu akan terus bekerjasama dengan lebih banyak syarikat IT global untuk memacu inovasi dalam pasaran DRAM.
Jooyoung Lee, Naib Presiden Eksekutif Produk & Teknologi DRAM di Samsung Electronics, berkata,”Menggunakan teknologi proses yang berbeza, DRAM DDR5 kelas 12nm terkemuka industri Samsung memberikan prestasi cemerlang dan kecekapan kuasa. DRAM terbaru kami mencerminkan komitmen berterusan kami untuk menerajui pasaran DRAM, bukan sahaja dengan produk berprestasi tinggi dan berkapasiti tinggi yang memenuhi permintaan pasaran pengkomputeran untuk pemprosesan berskala besar tetapi juga dengan mengkomersialkan penyelesaian generasi akan datang yang menyokong produktiviti yang lebih besar.
