SK hynix heeft nog sneller HBM3-geheugen in ontwikkeling
Het Zuid-Koreaanse bedrijf heeft zijn onderontwikkelde HBM3 geüpdatet specificaties voor de derde keer.
Afgelopen oktober SK Hynix onthulde dat het een 12-Hi (laag) HBM3 DRAM zal hebben met een snelheid van 820 GB/s, alleen om nog sneller geheugen voor te bereiden met 896 GB/s bandbreedte voor een’onthulling’op ISSCC 2022 (IEEE International Solid-State Circuits Conference).
De details zijn nog niet bekend, maar de titel van de sessie bevestigt al de snelheid en de geheugenconfiguratie. Het wordt ook 12-laags HBM3 DRAM met een capaciteit van 196 Gb (24 GB). Dit zou worden bereikt door TSV (via silicium via) automatische kalibratie en optimalisaties voor machine learning. Wat ook onduidelijk is, is of dit type geheugen letterlijk een prototype op papier is of eerder iets dat SK hynix van plan is in massaproductie te brengen.
SK hynix HBM3-geheugen, Bron: ISSCC
De eerste HBM3-specificaties van SK Hynix bevatten 5,2 Gbit/s data tarief per pin (665 GB/s) wordt pas enkele maanden later met 23% geüpdatet naar 6,4 Gbit/s (819 GB/s). Het nieuwste 7 Gbit/s-geheugen zou een extra upgrade van 10% opleveren ten opzichte van de specificaties van oktober.
Bovendien is het bedrijf ook van plan om T-coil-gebaseerde 27 Gbps GDDR6 geheugen met Merged-MUX TX, geoptimaliseerde WCK-bediening en alternatieve databus. Dergelijk geheugen zou zelfs sneller zijn dan het 24Gbps-geheugen van Samsung dat nu aan het samplen is. Het geheugen van Hynix zou een capaciteit van 16 GB hebben, dus dezelfde capaciteit als de GDDR6 van Samsung en de GDDR6X van Micron.
Bron: ISSCC Advance Program (PDF)
