Samsung Foundry gaat onthul zijn verbeterde 3nm-en 4nm-chipproductieprocessen op VLSI Symposium 2023 in juni. Het evenement vindt plaats van 11-16 juni 2023 in Kyoto, Japan. Tijdens het chipindustrie-evenement zal de Zuid-Koreaanse chipmaker zijn tweede generatie 3nm-en vierde generatie 4nm-processen beschrijven.
Beide nieuwe processen zijn belangrijk voor Samsung Foundry omdat ze zullen helpen om meer klanten te werven. Het 4nm-proces van het bedrijf dat werd gebruikt om de Exynos 2200-en Snapdragon 8 Gen 1-chipsets te fabriceren, kreeg veel kritiek omdat het nergens zo efficiënt was als het 4nm-proces van TSMC dat werd gebruikt om Apple’s A16, Snapdragon 8 Gen 2, Dimensity 9000 en Nvidia’s te maken. GPU’s uit de RTX 4000-serie.
Chips gemaakt met Samsung Foundry’s SF3 (3nm GAP) en SF4X (4nm EUV) processen om betere prestaties en efficiëntie te bieden
Samsung Foundry’s SF3-chipproductieproces zal gebruik maken van 3nm GAP-technologie. Het is een verbeterde versie van het SF3E-proces dat in de tweede helft van 2022 werd gebruikt om chips te maken. Het nieuwe proces steunt op de verbeterde GAA-transistor (Gate All Around) van Samsung, die het bedrijf MBCFET’s (Multi-Bridge-Channel Field-effecttransistors). Dit knooppunt belooft verdere optimalisaties, maar het bedrijf maakt geen directe vergelijkingen met zijn eerste generatie 3nm-proces.
Vergeleken met SF4 (4nm EUV LPP) zou SF3 22% sneller zijn bij hetzelfde vermogen of 34% energiezuiniger bij dezelfde kloksnelheden en hetzelfde aantal transistoren. Er wordt ook gezegd dat het 21% kleiner is op het gebied van logica. Jarenlang werd gezegd dat een van de belangrijkste voordelen van het GAA-proces de verschillende kanaalbreedtes van nanosheets in dezelfde celtypen was, en Samsung Foundry zegt dat het SF3-proces dit ondersteunt. Het zou kunnen betekenen dat SF3E (eerste generatie 3nm-proces) dit niet volledig ondersteunt.
Samsung’s tweede generatie 3nm-proces kan worden gebruikt voor Exynos 2500 en Snapdragon 8 Gen 4
Het 4nm-proces van de vierde generatie van het Zuid-Koreaanse bedrijf, dat is ontworpen om te worden gebruikt voor krachtige computertoepassingen zoals server-CPU’s en GPU’s, biedt een prestatieverbetering van 10% en een verbeterde energie-efficiëntie van 23% in vergelijking met SF4 (tweede generatie 4nm). Dit nieuwe proces zal concurreren met TSMC’s N4P (tweede generatie 4nm) en N4X (derde generatie 4nm) nodes, die respectievelijk in 2024 en 2025 beschikbaar zullen zijn.
Volgens AnandTech, Samsung Foundry’s SF4X is het eerste knooppunt van het bedrijf in de afgelopen jaren dat is gebouwd met high-performance computing in het achterhoofd, wat zou kunnen betekenen dat het een goede vraag verwacht van zijn klanten.
