Nieuwe transistor van Indiase onderzoekers die nuttig kan zijn bij draadloze transmissie

New Delhi: Indiase onderzoekers hebben een hoogwaardige, industriestandaard modeltransistor ontwikkeld die kan worden gebruikt om krachtige radiofrequentiecircuits te maken, waaronder versterkers en schakelaars die gebruikt in draadloze transmissie en zijn nuttig voor ruimte-en defensietoepassingen. Het hoogwaardige industriestandaardmodel is gemaakt voor aluminium galliumnitride (AlGaN/GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMT’s) met eenvoudige Read more…