Samsung ogłosił, że zamierza rozpocząć produkcję chipów półprzewodnikowych 1,4 nm do 2027 r. Firma ujawniła mapę drogową podczas dorocznej imprezy Samsung Foundry Forum w San Jose w USA Poniedziałek. Południowokoreański gigant niedawno rozpoczął masową produkcję technologii 3 nm i wcześniej ujawnił plany przejścia na 2 nm do 2025 roku.
Samsung ujawnia swoją zaawansowaną mapę drogową produkcji półprzewodników
Samsung jest jednym z wiodących na świecie największych firm półprzewodnikowych. Podczas gdy jej wewnętrzne procesory Exynos do smartfonów były niesławne ze względu na słabe zarządzanie temperaturą i wydajność baterii, firma ma dobrą reputację w większości innych obszarów półprzewodników. To największy na świecie producent układów pamięci. Firma prowadzi również działalność odlewniczą, produkując chipy półprzewodnikowe dla innych firm.
Na początku tego roku Samsung rozpoczął produkcję chipów 3 nm (3GAE), stając się pierwszą odlewnią na świecie, która to zrobiła. W tych rozwiązaniach firma wykorzystuje architekturę tranzystorową Gate-All-Around (GAA). Nowa architektura zapewnia poprawę wydajności i mocy w porównaniu z architekturą FinFET (tranzystor polowy Fin), na której oparte są jej chipy 4 nm lub większe. Architektura tranzystorów GAA pozwala również na stosowanie mniejszych chipów.
W ciągu najbliższych kilku lat Samsung poprawi wydajność i energooszczędność swoich rozwiązań 3 nm GAA. Planuje wprowadzić układy drugiej generacji 3 nm (3GAP) w 2024 r., a w 2025 r. kontynuować iteracje Plus (3GAP+). Firma reklamuje rozwiązania drugiej generacji, które będą o 20 procent mniejsze niż rozwiązania pierwszej generacji, co mniejsze i bardziej energooszczędne układy.
Samsung wyprodukuje układy 2 nm do 2025 r. i 1,4 nm do 2027 r.
Oprócz ulepszania istniejących rozwiązań, Samsung będzie również pracował nad bardziej zaawansowanymi układami półprzewodnikowymi. Jak wspomniano wcześniej, firma już ujawniła, że będzie gotowa na układy 2 nm do 2025 r. Teraz ogłosiła, że układy te będą wyposażone w zasilanie z tyłu. Obecnie tranzystory w układzie półprzewodnikowym mogą otrzymywać zasilanie lub komunikować się tylko z jednej strony układu. Nowa technologia umożliwi jednoczesne zasilanie i komunikację przez obie strony. Przyniesie to znaczny wzrost wydajności.
W 2026 r. Samsung planuje wprowadzić swoje chipy drugiej generacji 2 nm, a następnie rozwiązania 1,4 nm w 2027 r. Do tego czasu jego zdolności produkcyjne w zakresie zaawansowanych półprzewodników wzrosną o ponad trzykrotnie w porównaniu do tego roku. Firma nie ujawniła, jakie ulepszenia przyniosą te zaawansowane rozwiązania, ale w miarę zmniejszania się półprzewodników można spodziewać się większej poprawy wydajności i mocy.
Na niedawno zakończonym spotkaniu Samsung Foundry Forum firma ogłosiła również że ulepsza technologię heterogenicznego pakowania integracyjnego 2.5D/3D. Rozpocznie masową produkcję opakowań 3D X-Cube z połączeniem mikrowypukłości w 2024 roku. Bezwypukłości X-Cube będzie dostępny w 2026.
Samsung ulepsza również swoje rozwiązania motoryzacyjne i telekomunikacyjne
h2>
Samsung tworzy również rozwiązania z wbudowanymi pamięciami nieulotnymi (eNVM) dla klientów z branży motoryzacyjnej. Jej obecna oferta oparta jest na technologii 28 nm. Firma planuje przejście na rozwiązania 14eNVM do 2024 r. (przez). A w sektorze telekomunikacyjnym Samsung pracuje nad chipami 5 nm RF (Radio Frequency). Firma przeszła już z rozwiązań RF 14nm na 8nm.
„Przy znacznym wzroście rynku w zakresie obliczeń o wysokiej wydajności (HPC), sztucznej inteligencji (AI), łączności 5/6G i aplikacji motoryzacyjnych, zapotrzebowanie na zaawansowane liczba półprzewodników znacznie wzrosła, co sprawia, że innowacje w technologii procesów półprzewodnikowych mają kluczowe znaczenie dla sukcesu biznesowego klientów odlewniczych” – powiedział Samsung w komunikacie prasowym.
Firma zorganizuje również konferencję Samsung Foundry Forum w Europie (w październiku) 7 w Monachium, Niemcy), Japonii (18 października w Tokio) i Korei Południowej (20 października w Seulu).
