Zdjęcie: Samsung
Samsung Electronics ogłosiło rozpoczęcie masowej produkcji 1-terabitowa (Tb) komórka trójpoziomowa (TLC) ósmej generacji Vertical NAND (V-NAND). Ta najnowsza generacja V-NAND oferuje zarówno największą w branży pojemność pamięci masowej, jak i najwyższą gęstość bitów, zgodnie z komunikatem prasowym firmy, umożliwiając rozszerzenie przestrzeni dyskowej dla następnej generacji serwerów korporacyjnych. Samsung twierdzi, że był w stanie osiągnąć najwyższą w branży gęstość bitów dzięki znacznemu zwiększeniu wydajności bitowej na wafel.
„Ponieważ zapotrzebowanie rynku na gęstszą pamięć masową o większej pojemności zwiększa liczbę warstw V-NAND, Samsung zastosował swoją zaawansowaną technologię skalowania 3D, aby zmniejszyć powierzchnię i wysokość, jednocześnie unikając zakłóceń między komórkami, które zwykle występują przy zmniejszaniu skali” – powiedział SungHoi Hur, wiceprezes wykonawczy ds. produktów i technologii Flash w Samsung Electronics. „Nasza ósma generacja V-NAND pomoże sprostać szybko rosnącemu zapotrzebowaniu rynku i zapewni nam lepszą pozycję do dostarczania bardziej zróżnicowanych produktów i rozwiązań, które będą stanowić podstawę przyszłych innowacji w zakresie pamięci masowych”.
Od Samsung komunikat prasowy:
Samsung Electronics Co., Ltd., światowy lider w zaawansowanej technologii pamięci, zgodnie z obietnicą podczas Flash Memory Summit 2022 i Samsung Memory Tech Day 2022, ogłosił dzisiaj, że rozpoczął masową produkcję 1 terabita (Tb) Triple Level Cell (TLC) ósmej generacji Vertical NAND (V-NAND) o największej w branży gęstości bitowej. Przy 1 TB nowy V-NAND oferuje również największą jak dotąd pojemność pamięci masowej, umożliwiając większą przestrzeń dyskową w systemach serwerów korporacyjnych nowej generacji na całym świecie.
Samsung był w stanie osiągnąć najwyższą w branży gęstość bitów dzięki znacznemu ulepszeniu wydajność bitowa na wafel. Oparty na interfejsie Toggle DDR 5.0* — najnowszym standardzie pamięci NAND flash — ósma generacja V-NAND firmy Samsung oferuje prędkość wejścia i wyjścia (I/O) do 2,4 gigabitów na sekundę (Gbps), co daje wzrost o 1,2 razy większy niż Poprzednia generacja. Umożliwi to nowej V-NAND spełnienie wymagań wydajnościowych PCIe 4.0, a później PCIe 5.0.
Oczekuje się, że ósma generacja V-NAND będzie stanowić podstawę konfiguracji pamięci masowej, które pomagają w rozwoju pojemność pamięci masowej w serwerach nowej generacji dla przedsiębiorstw, jednocześnie rozszerzając jej zastosowanie na rynek motoryzacyjny, gdzie niezawodność ma szczególne znaczenie.
Dołącz do dyskusji na temat tego posta na naszych forach…
