Samsung, światowy lider w dziedzinie półprzewodnikowych układów pamięci DRAM, przedstawił ogłosił, że rozpoczął masową produkcję układów DRAM 16Gb DDR5 w technologii 12nm. W porównaniu z chipami poprzedniej generacji, nowe chipy DRAM 12 nm są bardziej energooszczędne.
Nowe chipy 12 nm DDR5 DRAM południowokoreańskiej firmy są o 23% bardziej energooszczędne i zwiększają wydajność płytek o 20%. Klienci, którzy używają tych chipów do swoich serwerów w chmurze i obliczeń o wysokiej wydajności, mogą zauważyć większe oszczędności energii i mniejszy ślad węglowy, zwłaszcza w przypadku centrów danych. Samsung twierdzi, że jego nowa produkcja DRAM DDR5 klasy 12 nm była możliwa dzięki firmowemu materiałowi High-κ, który zwiększa pojemność ogniw, co skutkuje znaczną różnicą potencjałów elektrycznych w sygnałach danych. Ułatwia to dokładne ich rozróżnienie.
Samsung nowe układy 12 nm DDR5 DRAM zapewniają prędkość przesyłania danych na poziomie 7,2 Gb/s, co odpowiada przetwarzaniu dwóch 30 GB 4K filmy w sekundę Te nowe chipy zostały już ocenione pod kątem procesorów AMD w grudniu 2022 r. Firma będzie nadal współpracować z większą liczbą globalnych firm IT, aby wprowadzać innowacje na rynku pamięci DRAM.
Jooyoung Lee, wiceprezes wykonawczy ds. produktów i technologii DRAM w firmie Samsung Electronics, powiedział: „Wykorzystując zróżnicowaną technologię procesową, wiodąca w branży pamięć DRAM DDR5 firmy Samsung wykonana w procesie 12 nm zapewnia wyjątkową wydajność i energooszczędność. Nasza najnowsza pamięć DRAM odzwierciedla nasze nieustanne zaangażowanie w wiodącą pozycję na rynku DRAM, nie tylko dzięki produktom o wysokiej wydajności i dużej pojemności, które zaspokajają zapotrzebowanie rynku komputerowego na przetwarzanie na dużą skalę, ale także poprzez komercjalizację rozwiązań nowej generacji, które wspierają większą produktywność”.
