Samsung Foundry ผู้ผลิตชิปรายใหญ่อันดับสองของโลกมี ประกาศว่ากำลังจะผลิตชิปเซมิคอนดักเตอร์ 2 นาโนเมตรในปี 2568 และชิป 1.4 นาโนเมตรในปี 2570 บริษัทเปิดเผยข้อมูลนี้พร้อมกับประกาศแผนงานเทคโนโลยีกระบวนการที่ งาน Samsung Foundry Forum 2023 ครั้งที่ 7
ในระหว่างงาน บริษัทเกาหลีใต้ยังได้เผยแพร่ข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเทคโนโลยีการผลิตชิป 2 นาโนเมตร
ชิป 2 นาโนเมตรของ Samsung Foundry จะประหยัดพลังงานมากกว่าชิป 3 นาโนเมตรถึง 25%
ตามคำกล่าวอ้างของบริษัท SF2 (Samsung Foundry 2 นาโนเมตร) จะพร้อมให้บริการแก่ลูกค้าในปี 2568 นี้ เทคโนโลยีการผลิตมีประสิทธิภาพการใช้พลังงานสูงขึ้น 25% โดยที่ความเร็วสัญญาณนาฬิกาและความซับซ้อนเท่าเดิม นอกจากนี้ยังมีการปรับปรุงประสิทธิภาพ 12% และพื้นที่แม่พิมพ์ลดลง 5% เมื่อเทียบกับชิป 3 นาโนเมตรรุ่นที่สองที่เริ่มผลิตเมื่อต้นปีนี้ เพื่อทำให้ชิป 2 นาโนเมตรมีความน่าสนใจยิ่งขึ้น Samsung Foundry จะนำเสนอวิธีการรวมเทคโนโลยีเข้ากับการออกแบบชิปต่างๆ รวมถึง LPDDR5X, HBM3, PCIe Gen 6 และ 112G SerDes
ชิป 2 นาโนเมตรของ Samsung (SF2) จะตามมาด้วยกระบวนการผลิตชิปเซมิคอนดักเตอร์คลาส 2 นาโนเมตรรุ่นที่สองที่เรียกว่า SF2P (ประสิทธิภาพ 2 นาโนเมตรของ Samsung Foundry) ชิปเหล่านี้จะได้รับการปรับแต่งสำหรับการประมวลผลประสิทธิภาพสูง และจะวางจำหน่ายในปี 2569 ในปี 2560 บริษัทจะเปิดตัว SF2A (Samsung Foundry 2nm Automotive) สำหรับชิปยานยนต์
Samsung Foundry และ TSMC จะทำให้เทคโนโลยีการผลิตชิป 2 นาโนเมตรพร้อมใช้งานในปี 2568
ชิปคลาส 2 นาโนเมตรของบริษัทจะพร้อมให้ลูกค้าใช้งานในช่วงเวลาเดียวกับเทคโนโลยีการผลิต 2 นาโนเมตรของ TSMC ดังนั้นจึงน่าสนใจที่จะเห็นว่ากระบวนการใดถูกเลือกโดยไคลเอนต์ชิปชื่อดัง เช่น AMD, Apple, MediaTek, Nvidia และ Qualcomm กระบวนการผลิตชิปคลาส 2 นาโนเมตรของ Intel ที่เรียกว่า 20A จะพร้อมจำหน่ายในปี 2567
ดร. Siyoung Choi ประธานและหัวหน้าธุรกิจโรงหล่อของ Samsung Electronics กล่าวว่า”Samsung Foundry ตอบสนองความต้องการของลูกค้าได้เสมอด้วยการล้ำหน้านวัตกรรมเทคโนโลยี และวันนี้ เรามั่นใจว่าระบบ gate-all-around (GAA) ของเรา เทคโนโลยีโหนดขั้นสูงจะเป็นเครื่องมือในการสนับสนุนความต้องการของลูกค้าโดยใช้แอปพลิเคชัน AI การรับรองความสำเร็จของลูกค้าของเราคือคุณค่าที่สำคัญที่สุดสำหรับบริการโรงหล่อของเรา”
ชิป RF 5 นาโนเมตรของ Samsung จะมอบประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่ดีขึ้น 40%
Samsung Foundry กำลังวางแผนที่จะนำชิป RF (Radio Frequency) ขนาด 5 นาโนเมตรมาใช้ในช่วงครึ่งแรกของปี 2025 ซึ่งจะถูกนำมาใช้ ในแอพพลิเคชั่น 6G จะเป็นการก้าวกระโดดครั้งใหญ่เมื่อเทียบกับชิป RF 14 นาโนเมตรรุ่นปัจจุบัน ซึ่งให้ประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่ดีขึ้น 40% และความหนาแน่นของทรานซิสเตอร์สูงขึ้น 50% ชิป RF ขนาด 8 นาโนเมตรและ 14 นาโนเมตรจะพร้อมใช้งานสำหรับรถยนต์
บริษัทเกาหลีใต้ยังมีแผนที่จะผลิตชิปเซมิคอนดักเตอร์พลังงาน GaN (Gallium Nitride) ขนาด 8 นิ้วสำหรับสินค้าอุปโภคบริโภค ศูนย์ข้อมูล และกรณีการใช้งานยานยนต์ในปี 2568
บริษัท ยังขยายกำลังการผลิตที่โรงงานชิปในเมือง Pyeongtaek ประเทศเกาหลีใต้ และเมือง Taylor รัฐ Texas ประเทศสหรัฐอเมริกา การผลิตชิปจำนวนมากที่ Pyeongtaek Line 3 (P3) ของ Samsung Foundry จะเริ่มขึ้นในช่วงครึ่งหลังของปี 2566 โรงงานแปรรูปแห่งใหม่ในเมืองเทย์เลอร์ รัฐเท็กซัส จะแล้วเสร็จภายในสิ้นปีนี้ และการผลิตจำนวนมากจะเริ่มในไตรมาสที่สอง ครึ่งปี 2567 นอกจากนี้ยังขยายการผลิตชิปไปยังเมืองยงอิน ประเทศเกาหลีใต้
