« 新聞稿 »
SK海力士開發出業界首款12層HBM3，向客戶提供樣品
開發出業界最大24GB內存容量的HBM3產品；正在進行客戶樣品性能評估 通過12顆DRAM芯片堆疊實現大容量和高性能 計劃2023年上半年完成量產準備工作，旨在鞏固公司在尖端 DRAM 市場的領導地位
SK 海力士公司（或“公司”，www.skhynix.com）今天宣布成為業界首家開發12層HBM31產品，24GB2內存容量，目前業界最大，客戶樣品性能評估正在進行中。
“公司成功開發24GB封裝繼去年 6 月全球首款 HBM3 量產之後，這款產品的內存容量比之前的產品增加了 50%，”SK 海力士表示。 “從今年下半年開始，我們將能夠向市場提供新產品，以滿足由 AI 驅動的聊天機器人行業推動的對高端內存產品不斷增長的需求。”
SK 海力士工程師通過將先進的大批量回流成型底部填充 (MR-MUF)3 技術應用於最新產品，提高了工藝效率和性能穩定性，而矽通孔 (TSV)4 技術將單個 DRAM 芯片的厚度減少了 40%，實現了相同的堆棧與16GB產品的高度水平。
HBM於2013年由SK海力士率先開發，因其在實現生成AI方面的關鍵作用而受到存儲芯片行業的廣泛關注，在高性能計算 (HPC) 系統中運行。
尤其是最新的 HBM3 標準被認為是快速處理大量數據的最佳產品，因此它被全球主要科技公司採用是
SK海力士已向多個客戶提供了其24GB HBM3產品的樣品，客戶對最新產品表示了極大的期望，同時產品的性能評估正在進行中。
“SK 海力士能夠通過其在後端工藝中使用的領先技術，不斷開發一系列超高速和高容量的 HBM 產品，”SK 海力士封裝與測試主管 Sang Hoo Hong 說。 “公司計劃在今年上半年完成新產品的量產準備，進一步鞏固其在AI時代前沿DRAM市場的領導地位。”
p>1HBM（High Bandwidth Memory）:一種高價值、高性能的內存，垂直互連多個 DRAM 芯片，與傳統 DRAM 產品相比，可顯著提高數據處理速度。 HBM3是第四代產品，繼前幾代HBM、HBM2和HBM2E之後
2之前開發的8層HBM3產品最大內存容量為16GB
3MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）:將多顆芯片放置在下基板上，通過回流一次性粘合，然後同時用模塑材料填充芯片之間或芯片與基板之間的空隙的方法.
4TSV（Through Silicon Via）:一種用於先進封裝的互連技術，將上下芯片與垂直穿過DRAM芯片上數千個細孔的電極連接起來.集成該技術的 SK 海力士 HBM3 每秒可處理高達 819GB，這意味著可以在一秒鐘內傳輸 163 部 FHD（全高清）電影。
« 新聞稿結束 »
