新的 CMOS 架構涉及使用索尼專有的堆疊技術，該技術將光電二極管（將光轉換為電流）和像素晶體管放置在單獨的基板上，一個接一個地堆疊。當前的架構將光電二極管和像素晶體管並排放置在同一基板上。借助索尼的堆疊技術，可以優化光電二極管和像素晶體管層。
香港的廣告牌宣傳索尼的下一代旗艦手機
最重要的是動態範圍的擴大導致照片的更多細節和明暗顏色之間的額外對比度。此外，這項新技術使索尼能夠增加放大晶體管的尺寸，從而減少在夜間或黑暗地點拍攝的照片的噪點。上述廣告牌不僅暗示 Xperia 1 V 能夠在所有光照條件下拍攝高質量照片，該標誌還用中文寫著“下一代低噪音傳感器”。
當時索尼宣布了這一點新的 CMOS 架構，該公司寫道，“這項新技術可提供更寬的動態範圍和降噪功能，將防止在明亮和昏暗照明（例如背光設置）相結合的設置中出現曝光不足和過度曝光，並實現高質量、低噪聲即使在低光（例如室內、夜間）環境下也能減少圖像噪聲。索尼將通過其 2 層晶體管像素技術為實現越來越高質量的成像做出貢獻，例如智能手機照片。”
將於下週四發布的索尼 Xperia 1 V 渲染圖
據說製造這些傳感器是一個非常困難的過程，需要極高的精度和遠高於生產中使用的粘合溫度當前的 CMOS 傳感器。由於其 IMX 系列，索尼在智能手機製造商的圖像傳感器供應商中佔有最大的市場份額。
索尼的新型雙層 CMOS 架構
據報導，索尼已經取得了一些其新旗艦產品後置攝像頭陣列的其他變化包括移除飛行時間傳感器。 Xperia 1 V 不是依靠 ToF 傳感器來測量深度，而是應該使用 AI 焦點跟踪技術。
據傳，這款新手機將採用 Snapdragon 8 Gen 2 應用處理器。其中一個後置攝像頭預計將配備索尼全新的 IMX989 1 英寸圖像傳感器，我們可以看到該設備配備了具有可變變焦功能的潛望鏡長焦攝像頭。據說包括 12GB 內存，我們可以看到通常提供的 256GB 和 512GB 配置。具有 16GB RAM 和 1TB 存儲空間的變體是可能的。
