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三星電子宣布最先進的 12 納米級 DDR5 DRAM 已開始量產
三星最新的 DRAM 將優化下一代計算，包括人工智能應用，具有更高的能效和生產力
先進內存技術的全球領導者三星電子今天宣布，其 16 吉比特 (Gb) ) 採用業界最先進的 12 納米 (nm) 級工藝技術的 DDR5 DRAM 已開始量產。三星完成最先進的製造工藝再次證明了其在尖端 DRAM 技術方面的領導地位。
“三星行業領先的 12 納米級 DDR5 DRAM 採用差異化工藝技術，提供出色的性能性能和電源效率。我們最新的 DRAM 反映了我們對引領 DRAM 市場的持續承諾，不僅提供滿足計算市場對大規模處理的需求的高性能和大容量產品，還通過商業化支持更高生產力的下一代解決方案。”
——三星電子 DRAM 產品與技術執行副總裁 Jooyoung Lee 表示。
與上一代產品相比，三星全新的 12nm-DDR5 級 DRAM 可將功耗降低多達 23%，同時將晶圓生產率提高多達 20%。其出色的能效使其成為希望降低其服務器和數據中心的能源消耗和碳足蹟的全球 IT 公司的理想解決方案。
三星開發 12 納米級工藝技術的成功歸功於使用有助於增加電池電容的新型高 κ 材料。高電容導致數據信號中存在顯著的電勢差，這使得更容易準確地區分它們。該公司為降低工作電壓和降低噪音所做的努力也有助於提供客戶所需的最佳解決方案。
擁有每秒 7.2 吉比特 (Gbps) 的最高速度 — 轉化為可以處理兩個 30GB UHD 的速度大約一秒鐘看電影 — 三星的 12 納米級 DDR5 DRAM 產品線將支持越來越多的應用，包括數據中心、人工智能和下一代計算。
三星完成了其 16Gb DDR5 DRAM 評估去年 12 月與 AMD 兼容，並繼續與全球 IT 公司合作，推動下一代 DRAM 市場的創新。
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