Samsung Foundry 將在 2023 年 6 月的 VLSI 研討會。該活動將於 2023 年 6 月 11 日至 16 日在日本京都舉行。在芯片行業盛會期間，這家韓國芯片製造商將詳細介紹其第二代 3nm 和第四代 4nm 工藝。
這兩種新工藝對三星代工廠都很重要，因為它們將幫助三星獲得更多客戶。該公司用於製造 Exynos 2200 和 Snapdragon 8 Gen 1 芯片組的 4nm 工藝受到了很多批評，因為它的效率遠不及台積電用於製造 Apple 的 A16、Snapdragon 8 Gen 2、Dimensity 9000 和 Nvidia 的 4nm 工藝。 RTX 4000 系列 GPU。
使用三星代工廠的 SF3（3nm GAP）和 SF4X（4nm EUV）工藝製造的芯片帶來更高的性能和效率
Samsung Foundry 的 SF3 芯片製造工藝將使用3nm GAP技術。它是 2022 年下半年用於製造芯片的 SF3E 工藝的改進版本。新工藝依賴於三星改進的 GAA（Gate All Around）晶體管，該公司將其稱為 MBCFET（Multi-Bridge-Channel Field-效應晶體管）。該節點有望進一步優化，但該公司並未與其第一代 3nm 工藝進行直接比較。
與 SF4（4nm EUV LPP）相比，據說 SF3 在相同功率下速度提高 22%，或者在相同時鐘速度和晶體管數量下功率效率提高 34%。據說它在邏輯區域的體積也縮小了 21%。多年來，據說 GAA 工藝的主要優勢之一是在相同的電池類型中改變納米片通道寬度，而三星代工廠表示其 SF3 工藝支持它。這可能意味著 SF3E（第一代 3nm 工藝）不完全支持它。
Exynos 2500 和 Snapdragon 8 Gen 4 可以使用三星的第二代 3nm 工藝
通常，三星的第一代芯片製造工藝並沒有被廣泛使用，而後幾代則被各種芯片公司所採用。根據三星代工廠的業績記錄，其第二代 3nm 芯片製造技術至少可以被一個主要的芯片客戶使用。一些傳言稱 Exynos 2500 和 Snapdragon 8 Gen 4 可以使用 SF3 工藝。
這家韓國公司的第四代 4nm 工藝旨在用於服務器 CPU 和 GPU 等高性能計算應用，與相比，性能提升 10%，能效提升 23% SF4（第二代4nm）。這一新工藝將與台積電的 N4P（第二代 4nm）和 N4X（第三代 4nm）節點競爭，這兩個節點分別將於 2024 年和 2025 年上市。
根據 AnandTech，三星Foundry的SF4X是該公司近年來首款以高性能計算為核心的節點，這可能意味著它期待著客戶對其的良好需求。
