SK 海力士 HBM3E 內存高達 8 Gbps
SK 海力士宣布其 1bnm as 現在已針對首批數據中心產品進行了驗證。該節點將用於生產DDR5和HBM3E內存，後者是High-Bandwidth-Memory的更快版本。
該公司證實， Xeon Scalable 平台現已通過英特爾認證，支持基於第 5 代 10nm 工藝節點的 DDR5 產品。 1bnm DDR5 內存的成功評估恰逢 1annm（第 4 代 10nm 節點）已經準備就緒並完成了英特爾的驗證。根據公告，首款DDR5內存可提供6.4Gbps的傳輸速度，比DDR5發展初期的產品提升了33%。
更重要的是，1bnm DDR5內存比1anm節點功耗低20%。該公司指出，這是因為 HKMB 製造工藝引入了一種高介電常數材料，可防止洩漏電流並提高電容。
同樣重要的是確認 HBM3E 也將使用 1bnm 模塊（HBM3 Extended ). SK hynix 只確認這種類型的高帶寬內存可實現 8 Gbps 的數據處理速度，並且應該在 2024 年進入量產。這比 HBM3 提高了 25%，是第一代 HBM 內存的 8 倍。
“在內存市場將從下半年開始復甦的預期越來越高的情況下，我們相信我們行業領先的 DRAM 技術，這次通過 1bnm 工藝的量產再次證明，將幫助我們提高收益下半年，”SK 海力士 DRAM 開發負責人 Jonghwan Kim 表示，並補充說 1bnm 工藝將在 2024 年上半年用於更廣泛的產品，例如 LPDDR5T 和 HBM3E。
— SK 海力士
資料來源:SK海力士