SK Hynix hat noch schnelleren HBM3-Speicher in der Entwicklung
Das südkoreanische Unternehmen hat sein in der Entwicklung befindliches HBM3 aktualisiert Spezifikationen zum dritten Mal.
Letzten Oktober gab SK Hynix bekannt, dass es einen 12-Hi (Layer) HBM3 DRAM mit einer Geschwindigkeit von 820 GB/s haben wird, nur um mit 896 GB noch schnelleren Speicher vorzubereiten/s Bandbreite für eine „Enthüllung“ auf der ISSCC 2022 (IEEE International Solid-State Circuits Conference).
Die Details sind noch nicht bekannt, aber der Titel von Die Sitzung bestätigt bereits die Geschwindigkeit und die Speicherkonfiguration. Es soll auch ein 12-Layer-HBM3-DRAM mit einer Kapazität von 196 Gb (24 GB) sein. Dies würde durch TSV (Through Silicon Via) Autokalibrierung und Optimierungen durch maschinelles Lernen erreicht. Unklar ist auch, ob dieser Speichertyp buchstäblich ein Prototyp auf dem Papier ist oder eher etwas, das SK hynix in die Massenproduktion treiben will.
SK Hynix HBM3-Speicher, Quelle: ISSCC
Die ersten HBM3-Spezifikationen von SK Hynix enthielten Daten mit 5,2 Gbit/s Datenrate pro Pin (665 GB/s), um einige Monate später um 23 % auf 6,4 Gbit/s (819 GB/s) aktualisiert zu werden. Der neueste 7-Gbit/s-Speicher würde ein zusätzliches Upgrade von 10 % gegenüber der Spezifikation vom Oktober 21 bieten.
Darüber hinaus plant das Unternehmen auch, T-Coil-basierte 27-Gbit/s-GDDR6 Speicher mit Merged-MUX TX, optimiertem WCK-Betrieb und alternativem Datenbus. Ein solcher Speicher wäre sogar noch schneller als der 24-Gbit/s-Speicher von Samsung, der jetzt bemustert wird. Der Speicher von Hynix hätte eine Kapazität von 16 GB, also die gleiche Kapazität wie der GDDR6 von Samsung und der GDDR6X von Micron.
Quelle: ISSCC Advance Program (PDF)