Samsung Foundry wird seine verbesserten 3-nm-und 4-nm-Chipherstellungsprozesse “https://www.vlsisymposium.org/info.html”>VLSI Symposium 2023 im Juni. Die Veranstaltung findet vom 11. bis 16. Juni 2023 in Kyoto, Japan, statt. Während der Chipindustrie-Veranstaltung wird der südkoreanische Chiphersteller seine 3-nm-Prozesse der zweiten Generation und der 4-nm-Prozesse der vierten Generation im Detail vorstellen.
Beide neuen Prozesse sind für Samsung Foundry wichtig, da sie dazu beitragen werden, mehr Kunden zu gewinnen. Der 4-nm-Prozess des Unternehmens, der zur Herstellung der Chipsätze Exynos 2200 und Snapdragon 8 Gen 1 verwendet wurde, wurde vielfach kritisiert, da er bei weitem nicht so effizient war wie der 4-nm-Prozess von TSMC, der zur Herstellung von Apples A16, Snapdragon 8 Gen 2, Dimensity 9000 und Nvidia verwendet wurde GPUs der RTX 4000-Serie.
Chips, die mit den SF3-(3 nm GAP) und SF4X-(4 nm EUV) Prozessen von Samsung Foundry hergestellt werden, um verbesserte Leistung und Effizienz zu erzielen
Der SF3-Chip-Herstellungsprozess von Samsung Foundry wird verwendet 3-nm-GAP-Technologie. Es handelt sich um eine verbesserte Version des SF3E-Prozesses, der in der zweiten Hälfte des Jahres 2022 zur Herstellung von Chips verwendet wurde. Der neue Prozess basiert auf Samsungs verbessertem GAA-Transistor (Gate All Around), den das Unternehmen MBCFETs (Multi-Bridge-Channel Field-Transistor) nennt. Effekttransistoren). Dieser Knoten verspricht weitere Optimierungen, direkte Vergleiche mit seinem 3-nm-Prozess der ersten Generation macht das Unternehmen jedoch nicht.
Im Vergleich zu SF4 (4 nm EUV LPP) soll SF3 bei gleicher Leistung 22 % schneller oder bei gleichen Taktraten und gleicher Transistoranzahl 34 % energieeffizienter sein. Auch im Logikbereich soll es 21 % kleiner bieten. Jahrelang hieß es, einer der Hauptvorteile des GAA-Prozesses sei die Variation der Nanoblatt-Kanalbreiten in den gleichen Zelltypen, und Samsung Foundry gibt an, dass sein SF3-Prozess dies unterstützt. Dies könnte bedeuten, dass SF3E (3-nm-Prozess der ersten Generation) dies nicht vollständig unterstützt.
Samsungs 3-nm-Prozess der zweiten Generation könnte für Exynos 2500 und Snapdragon 8 Gen 4 verwendet werden
Der 4-nm-Prozess der vierten Generation des südkoreanischen Unternehmens, der für Hochleistungs-Computing-Anwendungen wie Server-CPUs und GPUs konzipiert ist, bietet eine Leistungssteigerung von 10 % und eine um 23 % verbesserte Energieeffizienz im Vergleich zu SF4 (zweite Generation 4 nm). Dieser neue Prozess wird mit den Knoten N4P (zweite Generation 4 nm) und N4X (dritte Generation 4 nm) von TSMC konkurrieren, die 2024 bzw. 2025 verfügbar sein werden.
Laut AnandTech Der SF4X von Samsung Foundry ist der erste Knoten des Unternehmens in den letzten Jahren, der mit Blick auf Hochleistungsrechnen entwickelt wurde, was bedeuten könnte, dass das Unternehmen eine gute Nachfrage von seinen Kunden erwartet.