Samsung hat für den nächsten Monat einige wichtige Ankündigungen im Zusammenhang mit der Gießerei geplant. Das Unternehmen plant, seine verbesserten 3-nm-und 4-nm-Chipherstellungsprozesse auf dem Symposium für VLSI-Technologie und-Schaltkreise 2023 vorzustellen. Die Veranstaltung soll zwischen dem 11. und 16. Juni in Kyoto, Japan, stattfinden.
Laut Programmdetails, die von den Organisatoren der sechstägigen Veranstaltung veröffentlicht wurden, wird Samsung während der Konferenz seinen 3-nm-Prozess der zweiten Generation (SF3) vorstellen. Das Unternehmen setzt in seinen 3-nm-Chips die GAA-Fertigungstechnologie (Gate-All-Around) ein. Die Lösung der zweiten Generation wird fortschrittlichere Multi-Bridge-Channel-Feldeffekttransistoren (MBCFET) mit zusätzlichen Optimierungen gegenüber dem aktuellen Prozess (SF3E) verwenden.
Im Vergleich zu Samsungs aktuellen 4-nm-EUV-Chips (Extreme Ultraviolet). (auch bekannt als SF4), die die FinFET-Fertigungstechnologie nutzen, bringen SF3-Chips eine Geschwindigkeitssteigerung von 22 Prozent und sind 34 Prozent energieeffizienter. Diese Chips ermöglichen auch eine kleinere Logikfläche, wobei das Unternehmen eine Reduzierung der Chipgröße um 21 Prozent angibt. Das koreanische Unternehmen macht jedoch keine Angaben zum Unterschied in Geschwindigkeit und Energieeffizienz zwischen SF3-und SF3E-3-nm-Chips.
Darüber hinaus wird Samsung nächsten Monat auf dem VLSI Symposium 2023 seine modernsten 4-nm-Chips (SF4X) vorstellen. Diese Chips werden offenbar auf die HPC-Anwendung (High Performance Computing) ausgerichtet sein. Die Lösungen der nächsten Generation bringen eine Leistungssteigerung um zehn Prozent bei gleichzeitiger Reduzierung des Stromverbrauchs um 23 Prozent. „Diese SF4X-Technologie bietet enorme Leistungsvorteile für verschiedene Anwendungen in einem breiten Betriebsbereich“, heißt es in dem offiziellen Dokument.
Samsung geht davon aus, dass seine verbesserten 3-nm-Chips dazu beitragen werden, den Foundry-Marktanteil zu steigern
Samsung ist verzweifelt daran interessiert, seinen Foundry-Anteil zu verbessern. Der koreanische Gigant ist der zweitgrößte Halbleiterhersteller der Welt, hat aber nur einen Marktanteil von etwa 15 Prozent. Im Vergleich dazu erobert sein Erzrivale TSMC rund 60 Prozent des Marktes. Das Unternehmen hofft auf eine Verbesserung seines Marktanteils durch 3-nm-Chips. Es setzt auf den Einsatz der fortschrittlicheren GAA-Technologie, um Kunden auf seine Seite zu locken. TSMC hält für eine weitere Generation an der FinFET-Architektur fest. Es ist geplant, im Jahr 2025 auf die GAA-Technologie mit 2-nm-Lösungen umzusteigen.
Es gibt bereits Berichte, dass Samsung Aufträge für einige der Snapdragon 8 Gen 4-Chips von Qualcomm für das nächste Jahr erhalten hat. Möglicherweise bleibt Google beim Tensor G4 auch bei Samsung, nachdem es kurz über einen Wechsel zu TSMC nachgedacht hat. Die ersten Anzeichen für den koreanischen Giganten sehen also recht vielversprechend aus. Aber nur die Zeit wird zeigen, ob es in den nächsten Jahren seinem taiwanesischen Konkurrenten im Halbleiter-Foundry-Geschäft noch näher kommen kann.
