Imagen: Neo Semiconductor
Neo Semiconductor ha anunciado el lanzamiento de 3D X-DRAM, una”innovadora”y tecnología que “cambia las reglas del juego” que representa la primera matriz de celdas DRAM tipo NAND 3D del mundo, cuyo objetivo es resolver el cuello de botella de capacidad de DRAM y reemplazar todo el mercado de DRAM 2D. Según un gráfico en el sitio web oficial, 3D X-DRAM actualmente cuenta con 128 GB de capacidad estimada a través de 230 capas, pero ese número crecerá significativamente en los próximos años, con circuitos integrados de 1 TB insinuados para 2035. Lo que parece todo esto Lo que quiero decir es que llegará un momento en que la gente podrá presumir de tener terabytes de RAM en sus PC de escritorio.
“3D X-DRAM será el motor de crecimiento futuro absoluto para la industria de los semiconductores”, dijo Andy Hsu, fundador y director ejecutivo de NEO Semiconductor y un consumado inventor de tecnología con más de 120 patentes en EE. UU. “Hoy puedo decir con confianza que Neo se está convirtiendo en un claro líder en el mercado de DRAM 3D. Nuestro invento, en comparación con las otras soluciones en el mercado actual, es muy simple y menos costoso de fabricar y escalar. La industria puede esperar lograr mejoras de densidad y capacidad ocho veces mayores por década con nuestra X-DRAM 3D”.
“La evolución de arquitecturas 2D a 3D ha introducido beneficios convincentes y extremadamente valiosos para NAND flash, por lo que lograr un rendimiento similar la evolución de DRAM es muy deseable en toda la industria”, dijo Jay Kramer, presidente de Network Storage Advisors.”La innovadora X-DRAM 3D de NEO Semiconductor permite que la industria de la memoria aproveche las tecnologías, los nodos y los procesos actuales para mejorar los productos DRAM con arquitecturas 3D similares a NAND”.
De un Neo Semiconductor comunicado de prensa:
3D X-DRAM de NEO Semiconductor es la primera estructura de matriz de celdas DRAM similar a 3D NAND de su tipo basada en tecnología de celdas de cuerpo flotante sin condensador. Se puede fabricar utilizando el proceso similar a 3D NAND actual y solo necesita una máscara para definir los orificios de la línea de bits y formar la estructura celular dentro de los orificios. Esta estructura celular simplifica los pasos del proceso y proporciona una solución de alta velocidad, alta densidad, bajo costo y alto rendimiento. Según las estimaciones de Neo, la tecnología 3D X-DRAM puede alcanzar una densidad de 128 Gb con 230 capas, que es 8 veces la densidad actual de DRAM.
Se está realizando un esfuerzo de toda la industria para llevar 3D a DRAM. La adopción de 3D X-DRAM implica aprovechar únicamente el proceso 3D NAND maduro actual, a diferencia de muchas de las alternativas para mover DRAM a 3D propuestas por artículos académicos e investigadas por la industria de la memoria. Sin 3D X-DRAM, la industria se enfrenta a posibles décadas de espera, navegando por interrupciones de fabricación inevitables y mitigando desafíos inaceptables de rendimiento y costo. 3D X-DRAM es la solución necesaria para hacer frente al aumento de la demanda de semiconductores de memoria de alto rendimiento y alta capacidad impulsados por la próxima ola de aplicaciones de inteligencia artificial (IA) como ChatGPT.
Imagen: Neo Semiconductor
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