Samsung, el líder mundial en chips de memoria de semiconductores DRAM, tiene anunció que ha comenzado la producción en masa de chips DRAM DDR5 de 16 Gb utilizando la tecnología de 12 nm. En comparación con los chips de la generación anterior, los nuevos chips DRAM de 12 nm son más eficientes energéticamente.
Los nuevos chips DRAM DDR5 de 12 nm de la empresa surcoreana son un 23 % más eficientes energéticamente y aumentan la productividad de las obleas en un 20 %. Los clientes que usan estos chips para sus servidores en la nube y la informática de alto rendimiento pueden notar un mayor ahorro de energía y una reducción de la huella de carbono, especialmente para los centros de datos. Samsung dice que su nueva producción de DRAM DDR5 de clase 12nm fue posible gracias al material High-κ de la compañía que aumenta la capacitancia de la celda, lo que da como resultado una diferencia de potencial eléctrico significativa en las señales de datos. Esto hace que sea más fácil distinguirlos con precisión.
Los nuevos chips DRAM DDR5 de 12 nm de Samsung ofrecen velocidades de transferencia de datos de 7,2 Gbps, lo que equivale a procesar dos 30 GB 4K películas en un segundo. Estos nuevos chips ya se evaluaron para las CPU de AMD en diciembre de 2022. La empresa seguirá colaborando con más empresas de TI globales para impulsar la innovación en el mercado de DRAM.
Jooyoung Lee, vicepresidente ejecutivo de productos y tecnología DRAM de Samsung Electronics, dijo: “Usando tecnología de proceso diferenciada, la DRAM DDR5 de clase 12nm de Samsung, líder en la industria, ofrece un rendimiento y una eficiencia energética sobresalientes. Nuestra DRAM más reciente refleja nuestro compromiso continuo de liderar el mercado de DRAM, no solo con productos de alto rendimiento y alta capacidad que satisfagan la demanda del mercado informático de procesamiento a gran escala, sino también mediante la comercialización de soluciones de próxima generación que respalden una mayor productividad”.
