Memoria SK hynix HBM3E de hasta 8 Gbps
SK hynix ha anunciado que su 1bnm ya ha sido validado para los primeros productos de centro de datos. Este nodo se utilizará para la producción de memoria DDR5 y HBM3E, esta última es una versión aún más rápida de High-Bandwidth-Memory.
La empresa confirmó que La plataforma Xeon Scalable ahora ha sido certificada por Intel para admitir productos DDR5 basados en el nodo de proceso de 5.ª generación de 10 nm. La evaluación exitosa de la memoria DDR5 de 1bnm ocurre justo cuando 1anm (nodo de 10nm de 4ta generación) está listo y también completa la validación de Intel. Según el anuncio, la primera memoria DDR5 ofrece una velocidad de transferencia de 6,4 Gbps y es una mejora del 33 % con respecto a los productos en los”primeros días”del desarrollo de DDR5.
Más importante aún , la memoria DDR5 de 1 bnm consumirá un 20 % menos de energía que el nodo de 1 anm. Esto se debe a que el proceso de fabricación de HKMB introduce un material de alta constante dieléctrica que evita las fugas de corriente y mejora la capacitancia, señala la empresa.
Lo que también es importante es la confirmación de que los módulos de 1bnm también serán utilizados por HBM3E (HBM3 Extended ). SK hynix solo confirma que este tipo de memoria de alto ancho de banda permite una velocidad de procesamiento de datos de 8 Gbps y que deberían entrar en producción en masa en 2024. Esto es un aumento del 25 % con respecto a HBM3 y 8 veces más que la memoria HBM de primera generación.
“En medio de las crecientes expectativas de que el mercado de la memoria comenzará a recuperarse a partir de la segunda mitad, creemos que nuestra tecnología DRAM líder en la industria, probada nuevamente a través de la producción en masa del proceso de 1bnm esta vez, nos ayudará a mejorar las ganancias de la segunda mitad”, dijo Jonghwan Kim, jefe de desarrollo de DRAM en SK hynix, y agregó que el proceso de 1bnm se adoptará para una gama más amplia de productos como LPDDR5T y HBM3E en la primera mitad de 2024.
— SK hynix
Fuente: SK hynix