Gambar: Neo Semiconductor
Neo Semiconductor telah mengumumkan peluncuran 3D X-DRAM, sebuah”terobosan”dan teknologi “pengubah permainan” yang mewakili susunan sel DRAM mirip NAND 3D pertama di dunia, yang ditargetkan untuk memecahkan kemacetan kapasitas DRAM dan menggantikan seluruh pasar DRAM 2D. Menurut bagan di situs web resmi, 3D X-DRAM saat ini memiliki perkiraan kapasitas 128 GB melalui 230 lapisan, tetapi jumlah tersebut akan tumbuh secara signifikan di tahun-tahun mendatang, dengan IC 1 TB yang diisyaratkan pada tahun 2035. maksudnya adalah bahwa akan tiba waktunya ketika orang dapat membual tentang memiliki terabyte RAM di PC desktop mereka.
“3D X-DRAM akan menjadi pendorong pertumbuhan mutlak di masa depan untuk industri Semikonduktor,” kata Andy Hsu, Pendiri dan CEO NEO Semiconductor dan penemu teknologi ulung dengan lebih dari 120 paten AS. “Hari ini saya dapat mengatakan dengan yakin bahwa Neo menjadi pemimpin yang jelas di pasar DRAM 3D. Penemuan kami, dibandingkan dengan solusi lain di pasaran saat ini, sangat sederhana dan lebih murah untuk diproduksi dan diskalakan. Industri dapat berharap untuk mencapai kepadatan 8X dan peningkatan kapasitas per dekade dengan X-DRAM 3D kami.”
“Berkembang dari arsitektur 2D ke 3D telah memperkenalkan manfaat yang menarik dan sangat berharga untuk flash NAND, sehingga mencapai hal serupa evolusi untuk DRAM sangat diinginkan di seluruh industri, ”kata Jay Kramer, Presiden Penasihat Penyimpanan Jaringan. “3D X-DRAM NEO Semiconductor yang inovatif memungkinkan industri memori memanfaatkan teknologi, node, dan proses saat ini untuk menyempurnakan produk DRAM dengan arsitektur 3D mirip NAND.”
Dari Siaran pers Neo Semiconductor:
NEO Semiconductor’s 3D X-DRAM adalah struktur susunan sel DRAM mirip NAND 3D pertama dari jenisnya berdasarkan teknologi sel tubuh mengambang tanpa kapasitor. Itu dapat diproduksi menggunakan proses mirip NAND 3D saat ini dan hanya membutuhkan satu topeng untuk menentukan lubang garis bit dan membentuk struktur sel di dalam lubang. Struktur sel ini menyederhanakan langkah-langkah proses dan memberikan solusi berkecepatan tinggi, berdensitas tinggi, berbiaya rendah, dan hasil tinggi. Berdasarkan perkiraan Neo, teknologi 3D X-DRAM dapat mencapai kepadatan 128 Gb dengan 230 lapisan, yang merupakan 8 kali kepadatan DRAM saat ini.
Upaya seluruh industri sedang dilakukan untuk menghadirkan 3D ke DRAM. Mengadopsi 3D X-DRAM melibatkan pemanfaatan proses NAND 3D dewasa saat ini saja, tidak seperti banyak alternatif untuk memindahkan DRAM ke 3D yang diusulkan oleh makalah akademis dan diteliti oleh industri memori. Tanpa 3D X-DRAM, industri menghadapi potensi penantian puluhan tahun, mengatasi gangguan manufaktur yang tak terelakkan, dan memitigasi tantangan hasil dan biaya yang tidak dapat diterima. 3D X-DRAM adalah solusi yang diperlukan untuk mengatasi peningkatan permintaan semikonduktor memori berkapasitas tinggi dan berkinerja tinggi yang digerakkan oleh aplikasi kecerdasan buatan (AI) gelombang berikutnya seperti ChatGPT.
Gambar: Neo Semiconductor
Gabung diskusi untuk postingan ini di forum kami…
