Samsung Semiconductor ha tenuto oggi una conferenza presso il KAIST (Korea Advanced Institute of Science & Technology), dove il presidente della Samsung Device Solutions Division, Kye Hyun Kyung, ha presentato una visione di un futuro in cui Samsung Semiconductor raggiungerà il suo rivale taiwanese TSMC.
Il presidente ha ammesso che la tecnologia di fonderia di Samsung”è in ritardo rispetto a TSMC”. Ha spiegato che la tecnologia a 4 nm di Samsung è indietro di circa due anni rispetto a TSMC e il suo processo a 3 nm è di circa un anno indietro rispetto al suo rivale.
Tuttavia, il presidente ha anche spiegato che Samsung ora ha un vantaggio e la società potrebbe superare TSMC.”Possiamo superare TSMC entro cinque anni”. (tramite Hankyung)
L’ingresso anticipato di Samsung in GAA potrebbe colmare il divario
L’idea che Samsung possa superare TSMC entro i prossimi cinque anni deriva dal fatto che Samsung intende utilizzare la tecnologia Gate All Around (GAA) a partire dal suo processo di fonderia a 3 nm. Al contrario, TSMC non utilizzerà GAA prima di raggiungere la produzione a 2 nm e Samsung ritiene che ciò gli consentirà di raggiungere il suo rivale taiwanese.
GAA è un processo che potrebbe consentire a Samsung di produrre chip più piccoli (45%) e che consumano meno energia (%50) rispetto ai chip basati sui processi attualmente utilizzati da TSMC. E secondo il presidente,”la risposta dei clienti al processo 3nm GAA di Samsung Electronics è buona”.
È interessante notare che Kye Hyun Kyung ha anche affermato che Samsung si aspetta che i semiconduttori di memoria diventino più importanti nello sviluppo di server AI e superino le GPU NVIDIA. Secondo il CEO, Samsung”farà in modo che i supercomputer incentrati sui semiconduttori di memoria possano uscire entro il 2028″.
Altri rapporti recenti affermano che anche Samsung ha migliorato la sua resa a 4 nm fino al punto in cui ha vinto su due grandi clienti: AMD e Google. Secondo quanto riferito, il gigante tecnologico coreano produrrà il chip Tensor 3 di Google sul suo nodo di processo a 4 nm di terza generazione. Il presunto SoC Exynos 2400 potrebbe anche essere costruito su un processo avanzato a 4 nm.
