Immagine: Neo Semiconductor
Neo Semiconductor ha annunciato il lancio di 3D X-DRAM, una”rivoluzionaria”e una tecnologia”rivoluzionaria”che rappresenta il primo array di celle DRAM 3D simile a NAND al mondo, mirato a risolvere il collo di bottiglia della capacità delle DRAM ea sostituire l’intero mercato delle DRAM 2D. Secondo un grafico sul sito Web ufficiale, 3D X-DRAM vanta attualmente 128 GB di capacità stimata tramite 230 livelli, ma quel numero è destinato a crescere in modo significativo negli anni a venire, con circuiti integrati da 1 TB suggeriti entro il 2035. significa che verrà un momento in cui le persone potranno vantarsi di avere terabyte di RAM nei propri PC desktop.
“3D X-DRAM sarà il motore di crescita futuro assoluto per l’industria dei semiconduttori”, ha affermato Andy Hsu, fondatore e CEO di NEO Semiconductor e un abile inventore tecnologico con oltre 120 brevetti negli Stati Uniti. “Oggi posso affermare con certezza che Neo sta diventando un chiaro leader nel mercato delle DRAM 3D. La nostra invenzione, rispetto alle altre soluzioni oggi sul mercato, è molto semplice e meno costosa da produrre e scalare. Il settore può aspettarsi di ottenere miglioramenti di densità e capacità di 8 volte ogni decennio con la nostra 3D X-DRAM.”
“L’evoluzione dalle architetture 2D a 3D ha introdotto vantaggi convincenti ed estremamente preziosi per NAND flash, ottenendo così un risultato simile l’evoluzione per le DRAM è altamente desiderabile in tutto il settore”, ha affermato Jay Kramer, Presidente di Network Storage Advisors.”L’innovativa 3D X-DRAM di NEO Semiconductor consente al settore delle memorie di sfruttare le tecnologie, i nodi e i processi attuali per migliorare i prodotti DRAM con architetture 3D simili a NAND.”
Da un Neo Semiconductor comunicato stampa:
La 3D X-DRAM di NEO Semiconductor è una struttura di array di celle DRAM simile a NAND 3D unica nel suo genere basata sulla tecnologia delle celle a corpo flottante senza condensatore. Può essere prodotto utilizzando l’odierno processo simile a NAND 3D e richiede solo una maschera per definire i fori della linea di bit e formare la struttura cellulare all’interno dei fori. Questa struttura a celle semplifica le fasi del processo e fornisce una soluzione ad alta velocità, alta densità, basso costo e alto rendimento. Sulla base delle stime di Neo, la tecnologia 3D X-DRAM può raggiungere una densità di 128 Gb con 230 strati, ovvero 8 volte la densità DRAM odierna.
È in corso uno sforzo a livello di settore per portare il 3D nella DRAM. L’adozione di 3D X-DRAM implica lo sfruttamento dell’attuale processo NAND 3D maturo, a differenza di molte delle alternative per spostare la DRAM in 3D proposte da articoli accademici e ricercate dall’industria della memoria. Senza 3D X-DRAM, il settore deve affrontare potenziali decenni di attesa, affrontare inevitabili interruzioni della produzione e mitigare le sfide inaccettabili in termini di resa e costi. 3D X-DRAM è la soluzione necessaria per affrontare l’aumento della domanda di semiconduttori di memoria ad alte prestazioni e ad alta capacità guidato dalla prossima ondata di applicazioni di intelligenza artificiale (AI) come ChatGPT.
Immagine: Neo Semiconductor
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