Imej: Neo Semiconductor
Neo Semiconductor telah mengumumkan pelancaran 3D X-DRAM, sebuah”pemecah tanah”dan teknologi”perubahan permainan”yang mewakili tatasusunan sel DRAM seperti NAND 3D pertama di dunia, disasarkan untuk menyelesaikan kesesakan kapasiti DRAM dan menggantikan keseluruhan pasaran DRAM 2D. Menurut carta di laman web rasmi, 3D X-DRAM pada masa ini mempunyai anggaran kapasiti 128 GB melalui 230 lapisan, tetapi jumlah itu ditetapkan untuk berkembang dengan ketara pada tahun-tahun akan datang, dengan 1 TB IC dibayangkan pada tahun 2035. Apa yang kelihatan semua ini Maksudnya ialah akan tiba masanya orang boleh bermegah tentang mempunyai terabait RAM dalam PC desktop mereka.
“X-DRAM 3D akan menjadi pemacu pertumbuhan masa depan mutlak untuk industri Semikonduktor,” kata Andy Hsu, Pengasas dan Ketua Pegawai Eksekutif NEO Semiconductor dan pencipta teknologi yang berjaya dengan lebih daripada 120 paten A.S.. “Hari ini saya boleh katakan dengan yakin bahawa Neo menjadi peneraju yang jelas dalam pasaran DRAM 3D. Ciptaan kami, berbanding dengan penyelesaian lain di pasaran hari ini, adalah sangat mudah dan lebih murah untuk dikeluarkan dan skala. Industri boleh menjangkakan untuk mencapai ketumpatan 8X dan peningkatan kapasiti setiap dekad dengan X-DRAM 3D kami.”
“Berkembang daripada seni bina 2D kepada 3D telah memperkenalkan faedah yang menarik dan sangat berharga kepada denyar NAND, jadi mencapai yang serupa evolusi untuk DRAM sangat diingini di seluruh industri,” kata Jay Kramer, Presiden Penasihat Penyimpanan Rangkaian. “X-DRAM 3D Semikonduktor NEO yang inovatif membolehkan industri memori memanfaatkan teknologi, nod dan proses semasa untuk meningkatkan produk DRAM dengan seni bina 3D seperti NAND.”
Daripada Neo Semiconductor kenyataan akhbar:
X-DRAM 3D Semikonduktor NEO ialah struktur susunan sel DRAM seperti NAND 3D yang pertama seumpamanya berdasarkan teknologi sel badan terapung tanpa kapasitor. Ia boleh dihasilkan menggunakan proses seperti NAND 3D hari ini dan hanya memerlukan satu topeng untuk menentukan lubang garisan bit dan membentuk struktur sel di dalam lubang. Struktur sel ini memudahkan langkah proses dan menyediakan penyelesaian berkelajuan tinggi, berketumpatan tinggi, kos rendah dan hasil tinggi. Berdasarkan anggaran Neo, teknologi X-DRAM 3D boleh mencapai ketumpatan 128 Gb dengan 230 lapisan, iaitu 8 kali ganda ketumpatan DRAM hari ini.
Usaha seluruh industri sedang dijalankan untuk membawa 3D kepada DRAM. Mengguna pakai X-DRAM 3D melibatkan memanfaatkan proses NAND 3D matang semasa sahaja, tidak seperti kebanyakan alternatif untuk mengalihkan DRAM kepada 3D yang dicadangkan oleh kertas akademik dan dikaji oleh industri memori. Tanpa X-DRAM 3D, industri menghadapi potensi menunggu berdekad-dekad, menavigasi gangguan pembuatan yang tidak dapat dielakkan dan mengurangkan cabaran hasil dan kos yang tidak boleh diterima. 3D X-DRAM ialah penyelesaian yang diperlukan untuk menangani peningkatan permintaan bagi semikonduktor memori berprestasi tinggi dan berkapasiti tinggi yang dipacu oleh gelombang aplikasi kecerdasan buatan (AI) seterusnya seperti ChatGPT.
Imej: Neo Semiconductor
Sertai perbincangan untuk siaran ini di forum kami…
