Samsung Foundry, pengeluar cip kedua terbesar di dunia, mempunyai mengumumkan bahawa ia berada di landasan yang betul untuk menghasilkan cip semikonduktor 2nm pada 2025 dan cip 1.4nm pada 2027. Syarikat itu mendedahkan maklumat ini semasa mengumumkan pelan hala tuju teknologi prosesnya di acara Samsung Foundry Forum 2023 ketujuh.
Semasa acara itu, firma Korea Selatan itu turut menerbitkan beberapa maklumat lanjut tentang teknologi fabrikasi cip 2nmnya.
Cip 2nm Samsung Foundry akan menjadi 25% lebih cekap kuasa daripada cip 3nm
Menurut tuntutan syarikat, SF2 (Samsung Foundry 2nm) akan tersedia kepada pelanggan pada tahun 2025. Ini teknologi fabrikasi menawarkan kecekapan kuasa 25% lebih tinggi dengan kelajuan jam dan kerumitan yang sama. Ia juga menawarkan peningkatan 12% dalam prestasi dan penurunan 5% dalam kawasan die berbanding cip 3nm generasi kedua yang mula dibuat awal tahun ini. Untuk menjadikan cip 2nm lebih menarik, Samsung Foundry akan menawarkan cara untuk menyepadukan teknologi ke dalam pelbagai reka bentuk cip, termasuk LPDDR5X, HBM3, PCIe Gen 6 dan 112G SerDes.
Cip 2nm Samsung (SF2) akan diikuti oleh proses pembuatan cip semikonduktor kelas 2nm generasi kedua yang dipanggil SF2P (Samsung Foundry 2nm Performance). Cip ini akan dioptimumkan untuk pengkomputeran berprestasi tinggi dan akan tersedia pada 2026. Pada 2027, syarikat itu akan menjadikan SF2A (Samsung Foundry 2nm Automotive) tersedia untuk cip automotif.
Samsung Foundry dan TSMC akan menjadikan teknologi fabrikasi cip 2nm mereka tersedia pada tahun 2025
Cip kelas 2nm syarikat akan tersedia kepada pelanggan pada masa yang sama dengan teknologi fabrikasi 2nm TSMC. Jadi, ia akan menjadi menarik untuk melihat proses mana yang dipilih oleh pelanggan cip terkenal, termasuk AMD, Apple, MediaTek, Nvidia dan Qualcomm. Proses fabrikasi cip kelas 2nm Intel, dipanggil 20A, akan tersedia pada 2024.
Dr. Siyoung Choi, Presiden dan Ketua Perniagaan Faundri di Samsung Electronics, berkata, “Samsung Foundry sentiasa memenuhi keperluan pelanggan dengan mendahului keluk inovasi teknologi, dan hari ini, kami yakin bahawa kami berasaskan gate-around (GAA) teknologi nod lanjutan akan memainkan peranan penting dalam menyokong keperluan pelanggan kami menggunakan aplikasi AI. Memastikan kejayaan pelanggan kami adalah nilai paling utama kepada perkhidmatan faundri kami.”
Cip RF 5nm Samsung akan menawarkan kecekapan kuasa 40% yang dipertingkatkan
Samsung Foundry juga merancang untuk membawa cip RF (Kekerapan Radio) 5nm pada separuh pertama 2025. Ia akan digunakan dalam aplikasi 6G. Ia akan menjadi lonjakan besar berbanding cip RF 14nm generasi semasa, menawarkan peningkatan 40% dalam kecekapan kuasa dan ketumpatan transistor 50% lebih tinggi. Cip RF 8nm dan 14nm akan disediakan untuk kereta.
Firma Korea Selatan itu juga mempunyai rancangan untuk membuat cip semikonduktor kuasa GaN (Gallium Nitride) 8 inci untuk produk pengguna, pusat data dan kes penggunaan automotif pada tahun 2025.
Syarikat turut mengembangkan kapasiti pembuatannya di kilang cip di Pyeongtaek, Korea Selatan dan Taylor, Texas, Amerika Syarikat. Pengeluaran cip besar-besaran di Pyeongtaek Line 3 (P3) Samsung Foundry akan bermula pada separuh kedua 2023. Kilang fabrikasi baharunya di Taylor, Texas, akan siap menjelang akhir tahun ini, dan pengeluaran besar-besaran akan bermula pada tahun kedua separuh daripada 2024. Ia juga mengembangkan pengeluaran cip ke Yongin, Korea Selatan.
