Afbeelding: Samsung
Samsung Electronics heeft aangekondigd dat het is begonnen met massaproductie 1-terabit (Tb) triple-level cell (TLC) achtste generatie verticale NAND (V-NAND). Deze nieuwste generatie V-NAND biedt volgens een persbericht van het bedrijf zowel de hoogste opslagcapaciteit als de hoogste bitdichtheid in de branche, waardoor de opslagruimte voor de volgende generatie bedrijfsservers kan worden uitgebreid. Samsung zegt in staat te zijn de hoogste bitdichtheid in de branche te bereiken door de bitproductiviteit per wafer aanzienlijk te verhogen.
“Terwijl de marktvraag naar dichtere opslag met grotere capaciteit aandringt op een groter aantal V-NAND-lagen, heeft Samsung heeft zijn geavanceerde 3D-schaaltechnologie gebruikt om het oppervlak en de hoogte te verkleinen, terwijl de cel-tot-cel-interferentie die normaal optreedt bij het verkleinen, wordt vermeden”, aldus SungHoi Hur, Executive Vice President Flash Product & Technology bij Samsung Electronics.”Onze V-NAND van de achtste generatie zal helpen om aan de snel groeiende marktvraag te voldoen en ons beter te positioneren om meer gedifferentieerde producten en oplossingen te leveren, die de basis zullen vormen voor toekomstige opslaginnovaties.”
Van een
Samsung Electronics Co., Ltd., de wereldleider in geavanceerde geheugentechnologie, zoals beloofd op Flash Memory Summit 2022 en Samsung Memory Tech Day 2022, heeft vandaag aangekondigd dat het is begonnen met de massaproductie van een 1-terabit (Tb) triple-level cell (TLC) verticale NAND (V-NAND) van de achtste generatie met de hoogste bitdichtheid in de branche. Met 1 TB beschikt de nieuwe V-NAND ook over de hoogste opslagcapaciteit tot nu toe, waardoor grotere opslagruimte in de volgende generatie enterprise-serversystemen over de hele wereld mogelijk is.
Samsung was in staat om de hoogste bitdichtheid in de branche te bereiken door aanzienlijk te verbeteren de bitproductiviteit per wafer. Gebaseerd op de Toggle DDR 5.0-interface* — de nieuwste NAND-flashstandaard — heeft Samsung’s V-NAND van de achtste generatie een invoer-en uitvoersnelheid (I/O) tot 2,4 gigabit per seconde (Gbps), een 1,2x boost ten opzichte van de vorige generatie. Hierdoor kan de nieuwe V-NAND voldoen aan de prestatie-eisen van PCIe 4.0 en later, PCIe 5.0.
De achtste generatie V-NAND zal naar verwachting de hoeksteen vormen voor opslagconfiguraties die helpen uitbreiden de opslagcapaciteit in bedrijfsservers van de volgende generatie, terwijl het gebruik ervan wordt uitgebreid naar de automobielmarkt waar betrouwbaarheid bijzonder cruciaal is.
Doe mee aan de discussie voor dit bericht op onze forums…
