Samsung podobno przygotowuje się do rozpoczęcia masowej produkcji czipów półprzewodnikowych 4 nm trzeciej generacji w ciągu najbliższych kilku miesięcy. Według koreańskich mediów firma planuje rozpoczęcie produkcji nowych zaawansowanych półprzewodników w pierwszej połowie 2023 roku. Od kilku miesięcy pracuje nad poprawą wydajności rozwiązań 4 nm.
Samsung użyje procesu 2.3 generacji w swoich czipach trzeciej generacji 4 nm, Business Korea raporty. Publikacja mówi, że firma była w stanie poprawić zużycie energii i wydajność chipów, pracując nad rozwiązaniem problemu wydajności, który prześladuje ją od jakiegoś czasu. Koreański gigant technologiczny osiągnął ostatnio 60-procentowy wskaźnik wydajności dla półprzewodników 4 nm, co uważa za wystarczająco dobre, aby rozpocząć masową produkcję.
Samsung poprawia wydajność 4 nm, przygotowuje się do masowej produkcji trzeciej generacji
Współczynniki wydajności są miarą całkowitej liczby użytecznych żetonów na każde 100 wyprodukowanych. Stopa zwrotu na poziomie 60 procent oznacza, że Samsung będzie w stanie sprzedać 60 z każdych 100 produkowanych chipów. Im wyższy wskaźnik wydajności, tym mniejsze odpady, a tym samym koszty. Niższe wskaźniki wydajności wpływają również na zdolność produkcyjną, ponieważ mniej jednostek jest użytecznych. Wcześniejsze doniesienia mówiły, że koreańska firma mogła osiągnąć wskaźnik wydajności wynoszący tylko około 35 procent dla swoich chipów 4 nm pierwszej generacji.
Jest to podobno główny powód przejścia Qualcomm na TSMC do produkcji Snapdragon 8+ Gen 1 i Snapdragon 8 Gen 2. Tajwańska firma od początku miała bardzo zdrowe stopy zwrotu na poziomie około 70-80 procent. Samsung dostał kontrakt na Snapdragon 8 Gen 1, ale amerykański producent chipów poszedł z TSMC na swoje najnowsze chipsety. Oczekuje się również, że TSMC zdobędzie kontrakt na produkcję Snapdragon 8 Gen 3.
Z drugiej strony Samsung nadal koncentruje się na dalszej poprawie wydajności zaawansowanych półprzewodników. Firma miała podobne problemy z układami 3 nm. Wielu dużych klientów przechodzi na TSMC z powodu tego problemu. Dzieje się tak pomimo tego, że koreańska firma rozpoczyna masową produkcję rozwiązań 3 nm, wyprzedzając swojego tajwańskiego rywala. Firma wprowadziła na rynek nowe chipy w czerwcu ubiegłego roku, a TSMC ogłosiło masową produkcję w grudniu.
Żadna z firm nie rozpoczęła jeszcze produkcji procesorów 3 nm do smartfonów. Tymczasem zarówno Samsung, jak i TSMC budują nowe fabryki chipów w USA z planami produkcji zaawansowanych półprzewodników. Pierwsza fabryka znajduje się w Taylor w Teksasie, druga buduje ją w Phoenix w Arizonie. Obie nowe fabryki mogłyby zostać uruchomione w pierwszej połowie 2024 r.
