Samsung Semiconductor wygłosił dzisiaj wykład w KAIST (Korea Advanced Institute of Science & Technology), gdzie prezes działu Samsung Device Solutions, Kye Hyun Kyung, przedstawił wizję przyszłości, w której Samsung Semiconductor dogoni swoich Tajwański rywal TSMC.
Prezes przyznał, że technologia odlewnicza Samsunga „zostaje w tyle za TSMC”. Wyjaśnił, że technologia 4 nm firmy Samsung jest mniej więcej dwa lata za TSMC, a jej proces 3 nm jest o około rok za rywalem.
Jednak prezes wyjaśnił też, że Samsung ma teraz przewagę i firma może wyprzedzić TSMC. „Możemy przewyższyć TSMC w ciągu pięciu lat”. (przez Hankyung)
Wczesne wejście Samsunga w GAA może wypełnić lukę
Pomysł, że Samsung może przewyższyć TSMC w ciągu najbliższych pięciu lat, wynika z faktu, że Samsung zamierza korzystać z technologii Gate All Around (GAA), począwszy od procesu odlewniczego 3 nm. Natomiast TSMC nie użyje GAA przed osiągnięciem produkcji 2 nm, a Samsung wierzy, że to pozwoli mu dogonić tajwańskiego rywala.
GAA to proces, który może umożliwić Samsungowi produkcję chipów, które są zarówno mniejsze (45%), jak i zużywają mniej energii (50%) niż chipy oparte na procesach stosowanych obecnie przez TSMC. Według prezesa „reakcja klientów na proces 3 nm GAA firmy Samsung Electronics jest dobra”.
Co ciekawe, Kye Hyun Kyung powiedział również, że Samsung spodziewa się, że półprzewodniki pamięci staną się ważniejsze w opracowywaniu serwerów AI i przewyższą procesory graficzne NVIDIA. Według dyrektora generalnego Samsung „dopilnuje, aby superkomputery oparte na półprzewodnikach pamięci mogły pojawić się do 2028 roku”.
Inne niedawne raporty mówią, że Samsung również poprawił swoją wydajność 4 nm do punktu, w którym wygrał ponad dwoma głównymi klientami: AMD i Google. Koreański gigant technologiczny podobno wyprodukuje chip Google Tensor 3 na węźle procesowym trzeciej generacji 4 nm. Podobno Exynos 2400 SoC może być również zbudowany w zaawansowanym procesie 4 nm.
