A Samsung revelou algo bastante quente durante o evento anual HotChips 33, seus novos módulos TSV de 8 pilhas que inauguram módulos DDR5 de até 512 GB para o futuro.
VER GALERIA-4 IMAGENS
A empresa usará pacotes de 8 pilhas com alturas menores do que pacotes DDR4 de 4 pilhas, com a redução na altura feita possivelmente através de espaços menores entre as matrizes-uma redução de 40%, o que é um grande negócio-e usando técnicas de manuseio de wafer fino. Também veremos módulos TSV de 8 pilhas com melhor resfriamento.
512 GB de memória DDR5 por módulo será uma grande atualização para usuários e servidores HEDT, onde a memória DDR4 tinha limites de apenas 32 GB e até 64 GB de capacidade por DIMM. Havia execuções muito limitadas de módulos de 128 GB e 256 GB para o mercado de servidores, mas o DDR5 realmente fornecerá módulos DDR5 de 512 GB no futuro.
Quanto ao desempenho, esperamos até 85% mais desempenho em relação ao DDR4-com até 7,2 Gbps de largura de banda, tensões reduzidas para 1,1 V-e reduzido tensão através do regulador de tensão no módulo que ajuda a eficiência energética.
Melhor ainda, a Samsung espera que seu módulo DDR5 de 512 GB entre em produção em massa no final de 2021-enquanto os computadores convencionais terão DDR5 em 2023-2024. A Samsung também alega que terá DRAM de 1 TB para servidores de próxima geração no mundo”pós-pandêmico”. Em que utopia vivemos.
