A Samsung está em forte concorrência com a TSMC para pedidos de fabricação de chips no processo avançado de 3nm. É o primeiro nó de fundição de semicondutores da empresa que utiliza a tecnologia GAA-FET. A Samsung já contava com nós baseados em FinFET há mais de uma década.
A empresa disse durante uma teleconferência de resultados que seus rendimentos de wafer estão na intervalo de 60-70% durante as fases de desenvolvimento dos nós. Procura inspirar a confiança dos clientes na tecnologia. A Samsung certamente espera que isso possa levar a uma reversão na sorte e evitar outro declínio histórico nos lucros.
A Samsung gostaria de roubar alguns dos clientes da TSMC
É impressionante se os rendimentos de wafer de 3 nm da Samsung atingiram 60-70% durante a fase de desenvolvimento, já que a empresa lutou com isso durante o desenvolvimento de seu processo de 4nm. Essa foi uma das razões pelas quais a Qualcomm mudou os pedidos da Samsung para a TSMC para o Snapdragon 8 Gen 1 e Gen 2.
Esses rendimentos mais altos inspirarão confiança nos clientes que poderão optar por ter seus chips de 3nm fabricados na fundição da Samsung. A empresa teria enviado protótipos GAA de 3 nm a alguns clientes para demonstrar a qualidade. Com a atual capacidade de produção de 3 nm da TSMC não sendo capaz de atender à demanda, a Samsung espera conquistar alguns desses clientes.
A fabricação de chips por contrato é crucial para o sucesso financeiro da Samsung. A divisão de semicondutores da empresa tem passado por momentos terríveis ultimamente, perdendo US$ 3,41 bilhões e levando a uma queda histórica de 95% no lucro no primeiro trimestre de 2023, o menor lucro da Samsung em 14 anos. Isso se deve em grande parte a um declínio na demanda e preços médios de venda mais baixos para chips de memória e outros semicondutores.
A Samsung tentará compensar algumas dessas perdas aumentando a produção de chips de 3nm. Ainda pode levar algum tempo até que seja capaz de fazer isso com seu nó de 3nm.
