A Samsung, líder mundial em chips de memória DRAM semicondutores, tem anunciou que iniciou a produção em massa de chips DDR5 DRAM de 16 Gb usando a tecnologia de 12 nm. Em comparação com os chips da geração anterior, os novos chips DRAM de 12 nm são mais eficientes em termos de energia.
Os novos chips DDR5 DRAM de 12 nm da empresa sul-coreana são 23% mais eficientes em termos de energia e aumentam a produtividade do wafer em 20%. Os clientes que usam esses chips para seus servidores em nuvem e computação de alto desempenho podem notar maior economia de energia e pegadas de carbono reduzidas, especialmente para data centers. A Samsung diz que sua nova produção de DDR5 DRAM de classe 12nm foi possível graças ao material High-κ da empresa, que aumenta a capacitância da célula, o que resulta em uma diferença significativa de potencial elétrico nos sinais de dados. Isso torna mais fácil distingui-los com precisão.
Os novos chips DRAM DDR5 de 12 nm da Samsung oferecem velocidades de transferência de dados de 7,2 Gbps, o que equivale ao processamento de dois processadores 4K de 30 GB filmes em um segundo. Esses novos chips já foram avaliados para as CPUs da AMD em dezembro de 2022. A empresa continuará a colaborar com mais empresas globais de TI para impulsionar a inovação no mercado de DRAM.
Jooyoung Lee, vice-presidente executivo de produtos e tecnologia DRAM da Samsung Electronics, disse: “Usando tecnologia de processo diferenciada, a DDR5 DRAM de classe de 12nm líder do setor da Samsung oferece excelente desempenho e eficiência de energia. Nossa DRAM mais recente reflete nosso compromisso contínuo em liderar o mercado de DRAM, não apenas com produtos de alto desempenho e alta capacidade que atendem à demanda do mercado de computação por processamento em larga escala, mas também com a comercialização de soluções de próxima geração que suportam maior produtividade”.
