圖片:Neo Semiconductor
Neo Semiconductor 宣布推出 3D X-DRAM，這是一種“突破性”以及代表全球首款類3D NAND DRAM單元陣列的“改變遊戲規則”技術，旨在解決DRAM的容量瓶頸並取代整個2D DRAM市場。根據官方網站上的圖表，3D X-DRAM 目前通過 230 層擁有 128 GB 的估計容量，但這個數字在未來幾年將顯著增長，到 2035 年 IC 將達到 1 TB。這意味著，總有一天人們可以吹噓自己的台式機擁有數 TB 的 RAM。
“3D X-DRAM 將成為半導體行業未來絕對的增長動力，”Andy 說Hsu，NEO Semiconductor 的創始人兼首席執行官，也是一位成就卓著的技術發明家，擁有 120 多項美國專利。 “今天我可以自信地說 Neo 正在成為 3D DRAM 市場的明顯領導者。與當今市場上的其他解決方案相比，我們的發明非常簡單，製造和規模化成本更低。我們的 3D X-DRAM 有望每十年實現 8 倍的密度和容量提升。”
“從 2D 到 3D 架構的發展為 NAND 閃存帶來了引人注目且極具價值的優勢，因此實現類似的整個行業都非常希望 DRAM 的發展，”Network Storage Advisors 總裁 Jay Kramer 說。 “NEO Semiconductor 的創新 3D X-DRAM 允許內存行業利用當前的技術、節點和工藝來增強具有類似 NAND 的 3D 架構的 DRAM 產品。”
來自 Neo Semiconductor 新聞稿:
NEO Semiconductor 的 3D X-DRAM 是首款基於無電容器浮體單元技術的類 3D NAND DRAM 單元陣列結構。它可以使用今天的 3D NAND 類工藝製造，只需要一個掩模來定義位線孔並在孔內形成單元結構。這種電池結構簡化了工藝步驟，提供了一種高速、高密度、低成本、高良率的解決方案。根據 Neo 的估計，3D X-DRAM 技術可以通過 230 層實現 128 Gb 的密度，這是當今 DRAM 密度的 8 倍。
全行業正在努力將 3D 引入 DRAM。採用 3D X-DRAM 僅涉及利用當前成熟的 3D NAND 工藝，這與學術論文提出和內存行業研究的許多將 DRAM 遷移到 3D 的替代方案不同。如果沒有 3D X-DRAM，該行業將面臨潛在的等待數十年、應對不可避免的製造中斷，以及緩解不可接受的產量和成本挑戰。 3D X-DRAM 是應對由 ChatGPT 等下一波人工智能 (AI) 應用推動的對高性能和大容量存儲器半導體需求增長的必要解決方案。
圖片:Neo Semiconductor
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