三星是 DRAM 半導體存儲芯片的全球領導者，擁有 宣布已開始量產採用12nm工藝的16Gb DDR5 DRAM芯片。與上一代芯片相比，新的 12 納米 DRAM 芯片具有更高的能效。
這家韓國公司的新型 12 納米 DDR5 DRAM 芯片的能效提高了 23%，晶圓生產率提高了 20%。將這些芯片用於其云服務器和高性能計算的客戶可以注意到更高的節能效果和更少的碳足跡，尤其是對於數據中心。三星表示，其新的 12 納米級 DDR5 DRAM 生產是通過該公司的 High-κ 材料實現的，這種材料增加了單元電容，從而導致數據信號中出現顯著的電勢差。這使得更容易準確地區分它們。
三星新的 12nm DDR5 DRAM 芯片提供 7.2Gbps 的數據傳輸速度，相當於處理兩個 30GB 4K一秒鐘看電影。這些新芯片已於 2022 年 12 月針對 AMD 的 CPU 進行了評估。該公司將繼續與更多全球 IT 公司合作，以推動 DRAM 市場的創新。
三星電子 DRAM 產品與技術執行副總裁 Jooyoung Lee 表示:“三星業界領先的 12 納米級 DDR5 DRAM 使用差異化工藝技術，可提供出色的性能和能效。我們最新的 DRAM 反映了我們對引領 DRAM 市場的持續承諾，不僅通過滿足計算市場對大規模處理的需求的高性能和大容量產品，而且還通過商業化支持更高生產力的下一代解決方案。”
