前幾天，我們傳遞了一些關於驍龍 8 Gen 3 SoC 的傳聞規格。來自名為 RGcloudS 的 Twitter 推特，根據推特，高通公司的下一代頂級應用處理器 (AP) 將看到 X-4 高性能內核的時鐘速度提高 15% 至 3.70GHz.但是另一條推文，這條推文來自一位自稱為技術愛好者和三星粉絲的 Revegnus ，包含一些不同的芯片組傳聞規格。兩個傳言都說 Snapdragon 8 Gen 3 將由台積電使用後者的 4nm 工藝節點製造。但傳聞中的規格之間存在一些重大差異。雖然 RGcloudS 預計即將推出的芯片組將具有 1 個高性能 X-4 核心、4 個性能核心和 3 個效率核心，類似於 Snapdragon 8 Gen 2，但 Revegnus 認為是 1-5-2 配置。
Revegnus 預計 X-4 高性能核心以 3.20 GHz 的時鐘速度運行，這與 X-3 核心在當前 Gen 2 芯片組上的運行速度相同。他還預計該芯片將配備 5 個運行頻率為 3.0GHz 的 Cortex-A720 性能內核。剩下 2 個運行在 2.0GHz 的 Cortex-A520 效率內核。他指出，該芯片將配備 Adreno 750 GPU、Snapdragon X75 5G 調製解調器（能效提高 20%），並支持 LPDDR5 RAM 和通用閃存 (UFS) 4.1。
Twitter線人揭示了傳聞中的驍龍 8 代 3 SoC 的規格
一個有趣的說明。兩位爆料者可能都在關注芯片組的構建方式。考慮到蘋果今年已經鎖定了台積電的所有 3nm 生產，新芯片似乎有可能再次使用台積電的 4nm 工藝節點生產，這實際上是一個增強的 5nm 節點。
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請記住，為 Galaxy 手機打造的特別版 Snapdragon 8 Gen 2 具有超頻的高性能 X-3 內核15% 至 3.36GHz。我們假設適用於 Galaxy 的驍龍 8 Gen 3 也將配備一個超頻的高性能 X-4 內核。
我們還有幾個月的時間才能看到這個組件的出現，所以我們未來可能會看到更多傳聞中的規格。敬請期待。
