高通剛剛公佈了下一次發布活動的日期，有傳言稱該公司將發布驍龍 7+ 代1 2023年3月17日。它是去年驍龍7 Gen 1處理器的繼任者，有望帶來更快的性能和效率。但這對於三星的芯片代工業務來說是個壞消息。
據報導，Snapdragon 7+ Gen 1 將採用台積電的 4nm 工藝製造，而不是用於製造 Snapdragon 7 Gen 1 的 Samsung Foundry 的 4nm LPE 工藝. 台積電的 4nm 工藝已被證明比三星 Foundry 的 4nm 工藝更高效，這意味著 Snapdragon 7+ Gen 1 將比其前身更節能。看起來高通正在慢慢從三星晶圓代工廠轉移到台積電，因為前者在過去幾年面臨效率和良率問題。
據報導，驍龍 7+ Gen 1 使用台積電的 4nm 工藝
據報導，Snapdragon 7+ Gen 1 具有一個主頻為 2.92GHz 的 Cortex-X2 CPU 內核、三個主頻為 2.5GHz 的 Cortex-A710 CPU 內核以及四個最高運行頻率為 1.8GHz 的 Cortex-A510 CPU 內核。據報導，對於圖形處理，該芯片組採用主頻為 580MHz 的 Adreno 725 GPU。這表明該芯片是流行的 Snapdragon 8+ Gen 1 處理器的降頻版本。而且，這也是驍龍7系列芯片首次採用Cortex-X系列CPU。
洩露的基準測試顯示驍龍 7+ Gen 1 在 Geekbench 的單核 CPU 測試中得分為 1,232 分，在多核 CPU 測試中得分為 4,095 分。這幾乎與聯發科天璣 9000 一樣好，後者接近驍龍 8 Gen 1。因此，即使是高端中檔手機也可以與去年的旗艦手機一樣快。
儘管三星存在問題據報導，憑藉其 4 納米和 5 納米節點，其 3 納米 GAA 要好得多。一些謠言甚至聲稱它比台積電的 3nm 工藝更好，但只有時間才能證明它有多好。一些謠言還聲稱 Snapdragon 8 Gen 3 將使用 Samsung Foundry 的 3nm GAA，但您應該對這種說法持懷疑態度。
