Kingston est le dernier fabricant de mémoire à annoncer le développement de sa mémoire DDR5 et plus spécifiquement, des modules de mémoire avec prise en charge de l’overclocking.

Kingston prépare les modules de mémoire DDR5 prêts pour l’overclocking et commenceront à être expédiés au troisième trimestre 2021

Le fabricant de mémoire a révélé qu’il avait commencé le développement de modules de mémoire DDR5 prêts pour l’overclocking et avait déjà envoyé les premiers échantillons aux partenaires de la carte mère (ASUS, MSI, Gigabyte, ASRock, etc.). Les modules de mémoire Kingston DDR5 sont conçus conformément aux profils XMP mais ont également ouvert les partenaires de la carte mère pour permettre des ajustements manuels du PMIC (Power Management Integrated Circuit) au-delà de 1,1V. Voici le communiqué de presse de Kingston:

Crucial Ready avec modules de mémoire DDR5 grand public, SODIMM et UDIMM avec des vitesses de 4800 MHz, des capacités de 32 Go et 1,1 V

Les modules overclockables DDR5 de Kingston Technology un peu plus près du marché

Kingston Technology Company, Inc., un leader mondial des produits de mémoire et des solutions technologiques, a annoncé aujourd’hui avoir envoyé des modules DDR5 overclockables à ses partenaires de cartes mères pour commencer la qualification sur la plate-forme de mémoire de nouvelle génération.

Kingston a conçu ses modules DDR5 avec un profil XMP prédéfini, mais a également permis à nos partenaires de la carte mère d’ajuster manuellement le circuit intégré de gestion de l’alimentation (PMIC) au-delà de la spécification DDR5 de 1,1 V, permettant ainsi une flexibilité maximale pour l’overclocking. Kingston prévoit de livrer ses solutions DDR5 au troisième trimestre.

Comme indiqué ci-dessus, les kits overclockés devraient offrir des vitesses beaucoup plus rapides et des synchronisations plus serrées à l’aide de circuits intégrés DRAM DDR5. Il y aura également des modules de mémoire plus rapides à l’avenir avec d’autres fabricants rapportant des vitesses supérieures à 10 000 MHz pendant la phase de recherche. Nous sommes devrait obtenir des capacités de mémoire de 32, 64 et jusqu’à 128 Go cette année avec des vitesses comprises entre 4 800 MHz et 5 600 MHz. TeamGroup précédemment signalé que les tensions sur la mémoire DDR5 peuvent être poussées jusqu’à 2,6 V avec un refroidissement LN2.

La mémoire DDR5 devrait augmenter deux fois plus de performances que la DDR4, comme indiqué dans le repères précédemment divulgués . Nous avons déjà vu la DDR4 atteindre des vitesses supérieures à 7 GHz avec OC, donc 10 GHz ne semble pas être un gros problème pour la mémoire de nouvelle génération, car SK Hynix et Micron fournissent des puces DRAM plus rapides aux fournisseurs.

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