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SK hynix が業界初の 12 層 HBM3 を開発、顧客にサンプルを提供
業界最大の 24GB メモリ容量を備えた HBM3 製品を開発。お客様によるサンプル性能評価中 12個のDRAMチップの積層による大容量・高性能を実現 2023年上半期までに量産準備完了予定最先端の DRAM 市場における会社のリーダーシップを強化
SK hynix Inc. (または「会社」、www.skhynix.com) は本日、業界で初めて開発した企業になったと発表しました。現在業界最大の 24 ギガバイト (GB)2 のメモリ容量を持つ 12 層 HBM31 製品であり、顧客によるサンプルの性能評価が進行中であると述べています。
「同社は 24GB パッケージの開発に成功しました。 SKハイニックスは、昨年6月に世界初のHBM3を量産した後、以前の製品よりメモリ容量を50%増加させた製品です。 「AI を活用したチャットボット業界によって推進されるプレミアム メモリ製品に対する需要の高まりに合わせて、今年の下半期から新製品を市場に供給できるようになります。」
SK hynix エンジニアAdvanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF)3 テクノロジーを最新の製品に適用することで、プロセス効率とパフォーマンスの安定性を改善し、Through Silicon Via (TSV)4 テクノロジーにより、単一の DRAM チップの厚さを 40% 削減し、同じスタックを実現しました。
2013 年に SK hynix によって最初に開発された HBM は、ジェネレーティブ AI の実装において重要な役割を果たしていることから、メモリ チップ業界から幅広い注目を集めています。ハイパフォーマンス コンピューティング (HPC) システムで動作します。
特に最新の HBM3 標準は、大量のデータを迅速に処理するための最適な製品と見なされているため、主要なグローバル テクノロジー企業による採用が進んでいます。
SK hynix は 24GB HBM3 製品のサンプルを複数の顧客に提供し、製品の性能評価が進行中である間に、最新製品に大きな期待を寄せています。
「SK hynix は、バックエンド プロセスで使用される最先端の技術を通じて、一連の超高速で大容量の HBM 製品を継続的に開発することができました。 「同社は、AI 時代の最先端の DRAM 市場でのリーダーシップをさらに強化するために、今年の上半期中に新製品の量産準備を完了する予定です。」
1HBM (High Bandwidth Memory): 複数の DRAM チップを縦方向に相互接続し、従来の DRAM 製品と比較してデータ処理速度を劇的に向上させた、価値の高い高性能メモリです。 HBM3 は第 4 世代の製品であり、前世代の HBM、HBM2、および HBM2E の後継です。
2以前に開発された 8 層 HBM3 製品の最大メモリ容量は 16GB でした
3MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）:複数のチップを下基板に載せてリフローにより一括接合し、チップ間またはチップと基板の隙間を同時にモールド材で埋める方式.
4TSV (Through Silicon Via): 高度なパッケージングで使用される相互接続技術で、DRAM チップの何千もの微細な穴を垂直に貫通する電極で上下のチップを接続します。.この技術を統合した SK hynix の HBM3 は、毎秒最大 819GB の処理が可能であり、1 秒間に 163 本の FHD (Full-HD) 動画を送信できることになります。
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