サムスンは 世界最大のチップ メーカー。 高度なプロセス ノードの開発発表は、5G 通信チップ。
8nm シリコン製造プロセスでは、マルチチャネルとマルチアンテナ設計の両方を組み込んだ 5G 通信用の「ワンチップ ソリューション」を作成できます。 28nm および 14nm RF ソリューションに続いて、8nm RF ソリューションは、Samsung がミリ波およびサブ 6GHz 帯の 5G セグメントでのリーダーシップを拡大するのに役立ちます。同社はこのテクノロジーを使用して、他のブランド向けの RF 5G チップの製造を請け負う予定です。
デジタル回路は、新しいプロセス ノードごとに、性能の向上、エリア効率の向上、電力効率の向上を実現しています。ただし、アナログおよび RF ブロックは、線幅が狭いために抵抗が増加したため、これらの点であまり成功していません。したがって、ほとんどの RF チップはパフォーマンスが低下しています。この問題を克服するために、Samsung は 8nm プロセス ノードを使用して独自のアーキテクチャを開発したと主張しており、これは RFextremeFET (RFeFET) と呼ばれています。.
RFextremeFET アーキテクチャにより、パフォーマンスが向上そして電力効率。これは、デジタル PPA スケーリングとアナログ/RF スケーリングを同時に補完するものであり、高性能 5G プラットフォームの実現に非常に役立ちます。 Samsung Semiconductor は、新しいアーキテクチャにより電力効率が 35% 向上し、ダイ面積が 35% 小さくなったと主張しています。
Samsung Electronics の鋳造技術開発チームのマスターである Hyung Jin Lee 氏は次のように述べています。 5G ミリ波の拡大に伴い、Samsung の 8nm RF は、コンパクトなモバイル デバイスで長いバッテリー寿命と優れた信号品質を求める顧客にとって優れたソリューションになります。「
