サムスンインディアは7月5日に新しいMシリーズの携帯電話を発売すると発表しました。ただし、同社はこのスマートフォンの具体的な名前を正式に発表しませんでした。 5月に、同社はSamsungGalaxyM13を正式に発表しました。それにもかかわらず、同社が現在どのデバイスを発表するかはわかりません。最新のレポートによると、Samsung GalaxyM135Gは6.5インチのFHD+LCD画面を備えています。さらに、このデバイスは青、茶色、緑の色で利用できるようになります。
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構成に関しては、Samsung GalaxyM135GにはMediaTekDimensity700プロセッサが付属します。このデバイスは、15Wの充電をサポートする内蔵の5000mAhバッテリーも使用します。 6GのRAMと最大128GBの内部メモリがあります。カメラ部門のSamsungGalaxyM13 5Gには、自撮り写真やビデオ通話のニーズを満たすことができる前面5MPカメラがあります。背面には、50MPのメインカメラと2MPのセカンダリカメラを含むデュアルカメラの組み合わせが付属しています。
SamsungとASMLは、次世代のHigh-NAEUVリソグラフィーマシンを購入することに合意しました。
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BusinessKoreaによると、SamsungElectronicsの副会長であるLeeJae-yongは、6月中旬にヨーロッパへの出張を終了しました。今回の旅行で、彼とASMLは、次世代のオランダの半導体機器メーカーの紹介について話し合いました。彼はまた、極紫外線（EUV）リソグラフィ装置についても話し合う必要がありました。報告書によると、李在鎔は6月14日にオランダのASML本社でASMLのCEO、ピーター・ウェニンクとCTOのマーティン・ヴァン・デン・ブリンクと会談しました。議論は来年の計画にも及ぶ。高開口数（High-NA）EUVリソグラフィ装置の発売が合意に達しました。
High-NA EUVは、既存のEUVリソグラフィ装置よりも微細な回路を彫刻できる次世代リソグラフィ装置です。これは、競争のサブ3nmファウンドリマーケットテクノロジーの勝者を決定する、ゲームを変えるデバイスと見なされます。 High-NA EUVリソグラフィ装置の単価は5000億ウォン（3億8800万ドル）と推定されている。これは、既存のEUVリソグラフィ装置の約2倍の価格です。
Intelは5つのEUVリソグラフィ装置を購入します
今年初め、Intelはこれらのデバイスのうち5つを購入する契約を締結したと発表しました。 TSMCはまた、6月16日のシリコンバレー技術シンポジウムで、2024年に世界で初めてHigh-NAEUVリソグラフィ装置をプロセスに導入すると発表しました。
この次世代EUVリソグラフィ装置の戦いにおいて、SamsungElectronicsは最新のEUV装置の取得も模索しています。李在鎔のヨーロッパ出張は、主に次世代のHigh-NA EUVリソグラフィ装置と、現在生産されている最新世代の装置へのアクセスを確保することでした。 ASMLは今年、50台のEUVユニットしか生産できず、リードタイムは1年から1年6か月の範囲です。同社の限られた生産能力と長いリードタイムにより、High-NAEUVリソグラフィ装置の事前注文競争が激化しています。
SamsungElectronicsが実際にHigh-NAEUVリソグラフィ装置を半導体プロセスに適用する正確な時期まだ決定されていません。ただし、リードタイムを考慮すると、SamsungElectronicsは2024年にHigh-NAEUVリソグラフィ装置の実際の使用を開始する必要があります。
一部の業界ウォッチャーは、半導体設備への投資について韓国政府からのさらなる支援を求めています。 Samsung Electronics は、今年生産する予定の55台のEUVリソグラフィ装置のうち18台を確保したと報じられています。これは、EUVリソグラフィ装置への同社の投資だけで4兆ウォン（31億ドル）を超えることを意味します。
「Samsungが10個のHigh-NAEUVリソグラフィ装置を購入すると、5兆ウォン以上の費用がかかります。 （39億ドル）」と業界筋は述べています。
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