Samsung Semiconductor đã tổ chức một buổi thuyết trình tại KAIST (Viện Khoa học & Công nghệ Tiên tiến Hàn Quốc) vào đầu ngày hôm nay, tại đây Chủ tịch Bộ phận Giải pháp Thiết bị của Samsung, Kye Hyun Kyung, đã trình bày tầm nhìn về một tương lai mà Samsung Semiconductor sẽ bắt kịp với Đối thủ Đài Loan TSMC.
Chủ tịch thừa nhận rằng công nghệ đúc của Samsung “tụt hậu so với TSMC”. Ông giải thích rằng công nghệ 4nm của Samsung chậm hơn TSMC khoảng hai năm và quy trình 3nm của họ chậm hơn đối thủ khoảng một năm.
Tuy nhiên, vị chủ tịch cũng giải thích rằng Samsung hiện đang có lợi thế và công ty có thể vượt qua TSMC. “Chúng tôi có thể vượt trội hơn TSMC trong vòng 5 năm.” (thông qua Hankyung)
Việc Samsung sớm tham gia GAA có thể thu hẹp khoảng cách
Ý tưởng cho rằng Samsung có thể vượt trội hơn TSMC trong vòng 5 năm tới xuất phát từ việc Samsung dự định sử dụng công nghệ Gate All Around (GAA) bắt đầu từ quy trình đúc 3nm của mình. Ngược lại, TSMC sẽ không sử dụng GAA trước khi sản xuất 2nm và Samsung tin rằng điều này sẽ cho phép họ bắt kịp đối thủ Đài Loan.
GAA là một quy trình có thể cho phép Samsung sản xuất chip vừa nhỏ hơn (45%) vừa tiêu thụ ít năng lượng hơn (%50) so với chip dựa trên các quy trình hiện đang được TSMC sử dụng. Và theo chủ tịch, “Phản ứng của khách hàng đối với quy trình GAA 3nm của Samsung Electronics là rất tốt.”
Thật thú vị, Kye Hyun Kyung cũng cho biết Samsung hy vọng chất bán dẫn bộ nhớ sẽ trở nên quan trọng hơn trong việc phát triển máy chủ AI và vượt xa GPU NVIDIA. Theo CEO, Samsung sẽ “đảm bảo rằng các siêu máy tính tập trung vào chất bán dẫn bộ nhớ có thể ra mắt vào năm 2028.”
Các báo cáo khác gần đây nói rằng Samsung cũng đã cải thiện hiệu suất 4nm của mình đến mức giành được chiến thắng trên hai khách hàng lớn: AMD và Google. Gã khổng lồ công nghệ Hàn Quốc được cho là sẽ sản xuất chip Tensor 3 của Google trên nút quy trình 4nm thế hệ thứ ba của mình. Exynos 2400 SoC được đồn đại cũng có thể được xây dựng trên quy trình 4nm tiên tiến.
